闪存芯片封装后做在形似内存条的VIMM上，再形成vRAID组

在闪存模块的层面上，Violin Memory全闪存阵列没有选择常见的SAS/SATA SSD，而是采用了专有的VIMM（Violin Intelligent Memory Module）。正如其名称所显示的，VIMM看起来很像内存条，但作用与SAS/SATA SSD相当，其组成部分包括高性能闪存控制器、管理处理器、DRAM（保存元数据）和NAND闪存芯片，完成闪存转换层（Flash Translation Layer，FTL）的工作，充分利用每个闪存芯片并给予精心保护，其板载DRAM保存元数据的做法又降低了vRAID控制器模块的负担（源自Violin Memory的资料）。

Violin认为其vRAID相对基于磁盘的传统RAID优势明显

基于硬件的闪存vRAID以4+1的方式使用VIMM，闪存的容量利用率能够达到80%，据称有类似RAID 6的数据丢失率（4+1像RAID 5，但RAID 6的数据保护更好）。按照Violin Memory的说法，vRAID通过两种途径降低4K块读取的延迟：

• 条带化4KB块跨5个VIMM分布，允许闪存设备并发读写以提高带宽；
• vRAID确保长达多个ms的擦除不会阻塞读或写。因为在任意时刻，5个VIMM中有4个需要读，该架构使混合读/写环境中无尖峰延迟。

抛开这些技术细节不论，最终结果如何？Violin Memory宣称其全闪存阵列可以在3U机架的空间内提供高达100万的IOPS，而延迟低至100微秒。指标不错，但与几乎没特别为闪存考虑的EF540相比，并没有拉大到数量级的差距。如果将全闪存阵列分解为阵列控制器（负责RAID）和闪存模块（提供内部接口、FTL和闪存存储）两个部分，那么所谓传统的磁盘阵列硬件架构也完全可以针对闪存而改造：RAID算法充分为闪存优化，加宽内部传输通道，SAS/SATA SSD的控制器实现更好的FTL……除了SAS/SATA协议层不宜过分夸大的延迟，貌似没有什么是无法逾越的。