总结

百度百科 发表于:12年05月08日 11:44 [转载] DOIT.com.cn

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[导读]闪存(Flash Memory)是一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。

除了上文提到的MRAM和OUM,其它可替代的产品还有MRAM (FeRAM)、 Polymer memory (PFRAM)、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM)、 Organic RAM (ORAM)以及最近的Nanotube RAM (NRAM)。目前替代闪存的产品有许多,但是哪条路能够成功,以及何时成功仍然值得怀疑。

对大多数公司而言,闪存仍是一个理想的投资。不少公司已决定加大对闪存的投资额。此外,据估计,到2004年,闪存总产值将与DRAM并驾齐驱,到2006年将超越DRAM产品。因为,在期待新一代产品的同时,我们也不应该忽视目前已有的市场。

[责任编辑:黄辉]
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