DOSTOR存储在线 12月15日国际报道：闪存技术企业就好像西部片里面对决中的枪手那样互相对视，供应商或供应商集团正在向有欣赏力的客户开发NAND产品。

我们已经发现有更高容量和更快速度的闪存与拥有更高速连接的闪存，同时你知道的，还有即将到来的云闪存。

NVMe

该组织致力于开发一种可以以闪存芯片(而不是磁盘)的速度工作的闪存-PCIe连接器。该组织至少有90名成员。

这些成员包括了闪存行业中大多数翘楚：日立GST、华为、Marvell、美光、OCZ、Philson Electronics、Pliant(现在被SanDisk所收购)、三星、SandForce(被LSI所收购)、STEC、东芝、Violin Memory、Virident和西部数据。戴尔、EMC、富士通、NetApp、甲骨文和Xyratex也在列。

惠普和Fusion-io还不是成员，但是他们在上个月维也纳举行的惠普发现大会上展示了SCSI Express;SCSI Express是一个与NVMe竞争性的和部分重叠的闪存-PCIe连接项目。其他还没有出现在NVMe(非易失性记忆体Express)行列中的厂商包括IBM、Kaminario、Plextor、希捷和TMS。

根据一份报告，NVMe支持的闪存产品将在2013年年中之前上市，但是SoC(片上系统)组件可以在这之前上市。这看起来有些谨慎。

OCZ

OCZ的目标是提供带NVMe支持性的TLC(三层单元)闪存。在它的路线图中，通过使用三层单元闪存，也就是TLC，它准备推出拥有更高容量水平的消费者闪存产品。比起2比特MLC(多层单元)产品来说，TLC的容量多50%;同时，在同样容量下，TLC的单位成本低30%。

OCZ目前的Talos和RevoDrive产品使用MLC NAND，有960GB的容量。我们预计1.44TB的产品可能会在明年出现。

该公司还告诉我们说预计使用IMTF 20纳米制程NAND单元的Z-Drive R5将支持NVMe，同时OCZ自己将有一个得到Marvell处理器支持的Indilinx控制器技术。NVMe功能将内置在一个ASIC(专用集成电路)中。报告暗示R5将提供高达320万IOPS(每秒输入输出)的性能。这是相当亮眼的性能，考虑到目前的Z-Drive R4只有41万次IOPS，这意味着R5的性能将是8倍。

Plextor

这家日本光学驱动器和闪存公司宣布推出M3 2.5英寸SSD(固态驱动器)。M3是今年十月推出的M2P系列的后续产品。这款使用NAND的24纳米制程MLC东芝Toggle型号看起来就像带有下面特点的M2P：

最高容量提升一倍——高达512GB;

3年质保提升为5年质保;

500MB/秒的读取带宽提升为525MB/秒;

440MB/秒的写入带宽提升为445MB/秒;

没有捆绑的Acronis Truelmage;

由于M2P和M3都是使用Marvell 88SS9174控制器芯片，因此EI Reg认为顺序I/O速度的提升来自于更高的容量。M3有512GB容量，而M2P只有256GB最高容量。Plextor表示M3的性能在其工作生命期间将保持一致，不会在驱动器单元开始重新写入的时候性能下滑。