在Hot Chips期间披露的新信息显示，Intel正在生产中的x86 CPU硅片上验证GAA全环绕栅极晶体管与背面供电技术的组合效果。在约0.5V的低工作电压下，相比FinFET方案，CPU核心运行频率最高提升约30%。Diamond Rapids和Nova Lake将成为较早受益于这些技术的产品。
这个30%的数字很亮眼，但需要注意的是，它并不是说Intel 18A-P相比18A整体性能提升30%。
Intel官方给出的18A-P与18A之间的直接对比是：相同功耗下性能提升9%，或者相同性能下功耗降低18%。18A-P目前已经进入风险试产阶段，并保持与18A设计规则兼容，可以继续复用已有IP和设计流程。
低电压下，GAA的优势反而更加明显
这次最值得关注的地方，是30%的频率提升出现在约0.5V的低电压环境。
Intel公布的测试基于采用GAA晶体管和背面供电技术制造的CPU核心，并与FinFET方案进行对比。在相同电压、同类CPU核心条件下，0.5V时运行频率提升约30%。这意味着差异主要来自底层工艺，而不是CPU微架构变化。
通常降低CPU电压可以明显降低功耗，但代价往往是频率下降。GAA晶体管加强了对沟道的控制，使晶体管能够更好地工作在低电压区间。
因此，新工艺带来的价值不只是把CPU的最高频率推得更高，还可能是让CPU在较低电压下维持更高性能。这对于笔记本、AI终端以及强调每瓦性能的数据中心处理器尤其重要。
PowerVia不只是“把供电线路搬到背面”
另一个重要变化来自Intel的PowerVia背面供电技术。
传统芯片的信号线和供电网络都位于晶体管上方，需要争夺有限的布线空间。PowerVia将供电网络转移到晶圆背面，一方面可以释放正面的布线资源，另一方面可以减少供电过程中的IR Drop和电压波动。
Intel公布的数据显示，相比类似的正面互连方案，GAA配合背面供电可以减少约11%的布线面积，并将动态电压下降低约10倍，由此可以带来最高约6%的频率提升，或者超过15%的动态功耗下降。
这意味着，PowerVia的意义已经不只是芯片供电方式发生变化。
当CPU突然进入高负载状态时，电压会出现瞬间下降。电压波动越大，芯片设计时需要留下的安全余量也越大。背面供电让电压更加稳定后，部分安全余量就可以转化为实际的CPU频率和能效。
18A-P继续增加“Power Boost”
Intel还在18A-P中加入了一项名为Power Boost的新技术。
Power Boost采用新的双接触、低电阻晶体管设计，在保持相同电容的情况下提高驱动电流，从而进一步提高运行频率。同时，18A-P还通过应变工程改善PMOS迁移率，并增加不同的RibbonFET晶体管选项，让设计人员可以针对低功耗或高性能进行优化。
Intel还在继续优化互连。
18A-P增加了两层较粗的低电阻金属层，以降低互连RC延迟和布线拥塞。据披露，这项改变可以在1.1V下带来约3%的频率提升，在0.65V下提升约2%，同时降低约2%的功耗。
此外，18A-P通过材料和设计优化，将整体热阻改善20%至40%，过孔电阻降低10%至30%。
这些变化说明，先进制程的性能提升已经越来越难依靠单一的晶体管微缩实现，而需要晶体管、供电、互连、散热和芯片设计共同优化。
Diamond Rapids将率先吃到18A-P红利
这些技术最终会体现在Intel接下来的处理器产品上。
Wccftech报道称，下一代Xeon处理器Diamond Rapids将成为18A-P的主要产品之一。Diamond Rapids最高将拥有256个P-Core，相比上一代核心数量大幅增加，同时Intel将I/O移动到封装中央，让不同CPU核心获得更加均衡的内存访问能力。
对于这样的高核心数服务器CPU而言，18A-P带来的意义不仅是提高单核频率。更好的供电、散热和能效，也有助于在有限的整颗CPU功耗预算下容纳更多核心，并维持更高的每核性能。
Nova Lake同样被认为将较早采用18A-P带来的技术成果。
18A可能只是GAA+背面供电的第一步
更值得关注的是，Intel似乎并不把18A-P视为这套技术路线的终点。
相关研究提出，FinFET经过多代工艺和设计协同优化后，才逐渐释放出完整的性能潜力，而GAA与背面供电目前可能还处于类似发展曲线的早期阶段。
Intel已经在研究下一阶段的技术，包括使用钌替代部分铜互连。其展示的减成法钌互连结合Air Gap，与铜互连相比可以将电容最多降低约35%，目标是解决先进制程下越来越突出的互连瓶颈。
再往后，Intel还展示了45nm栅极间距的单片CFET反相器，将NMOS和PMOS垂直堆叠，希望通过从二维向三维发展继续提高晶体管密度。
从这个角度看，18A-P真正值得关注的并不只是“性能提高了多少”。
过去先进制程主要依赖晶体管不断缩小来获得性能和密度提升。进入GAA时代以后，晶体管结构、背面供电、互连材料、散热乃至垂直堆叠正在同时成为推动CPU继续发展的关键变量。
18A和18A-P，可能只是Intel这条新技术路线的开始。
