2026年8月4日，美国加州圣克拉拉会议中心，一年一度的全球存储产业峰会（FMS）如期举行。今年是FMS创办二十周年，也是它正式更名后的首届大会——从“Flash Memory Summit”到“Future of Memory and Storage”。一个名称的变迁，折射出整个存储产业的深刻转型。
杭州电子科技大学微电子研究院院长、华澜微电子首席科学家骆建军教授
8月26日，杭州电子科技大学微电子研究院院长、华澜微电子首席科学家骆建军教授，作为曾经FMS多年的参与者与亚太论坛组织者，在由DOIT传媒、华中科技大学计算机科学与技术学院、华中科技大学集成电路学院联合在武汉主办的2026全球闪存峰会(FMW)上分享了此次美国之行与会后观察与思考。从2007年至今，他见证了FMS从聚焦闪存卡、U盘起步，历经SSD、NVMe时代，直至今天全面拥抱AI的完整历程。
峰会之变：从器件到系统，从闪存到智能
“FMS组织者今年发生变更，会议转为由Terrapinn公司经营，运营风格与方式随之调整。”骆建军表示，更值得关注的是内容层面的演进。
FMS最初聚焦于闪存基础产品——存储卡、U盘、SSD。随着技术成熟，各种类型的SSD逐渐成熟，成为市场主流，能够引发讨论的技术亮点题材日益稀缺。2017年至2025年间，组委会每年都在寻找新的主题：3D堆叠、NVMe、CXL……今年，新的亮点清晰聚焦在“人工智能”。
“过去FMS上面，大家自然主讲Flash，现在半壁江山是DRAM。”骆建军指出。HBM和CXL的崛起，使DRAM在峰会中的分量日益加重。于是，FMS正式更名为“未来存储与内存大会”，将系统级、AI级的内容纳入核心议题。
参会群体的构成也在发生显著变化。十年前，存储器件、主控与存储盘厂家是主角；如今，存储系统厂商、AI服务器厂商、测试验证、连接器与线缆企业悉数登场，形成了覆盖存储与计算全产业链的完整生态。
另一个重要趋势是亚太力量的崛起。FMS海外参会者中，几乎三分之二来自亚太地区，韩国、中国台湾、中国大陆、日本位居前列。对此他十分感慨：十年前，除了三星、东芝、海力士，亚洲面孔很少；今天，闪存峰会上几乎满眼都是亚洲人。
巨头争锋：AI成为所有技术叙事的核心
骆建军注意到，本届FMS上，各大巨头的布局高度一致——围绕AI重构存储技术。
三星按惯例进行开幕主题演讲，主题直接锁定“引领人工智能革命浪潮：内存与存储架构的3D创新”。三星重点展示了其新一代高带宽内存架构zHBM，将HBM垂直堆叠在AI加速器正上方，通过缩短数据传输距离来提升带宽、降低功耗，被视为针对大规模AI训练与推理的先进解决方案。
铠侠以《以闪存与SSD重新定义AI时代的数据中心存储》为主题，与NVIDIA举办专场讨论。其GP1系列超高IOPS SSD荣获FMS 2026专业存储类别最佳展品奖。该产品号称业界首款GPU直连优化SSD，目标达到1亿IOPS，旨在以闪存层扩展HBM，降低AI系统扩容成本。
美光的选择略有不同。它并未一味追逐GPU直连概念，而是与Microchip合作，围绕PCIe Switch和Expander/HBA，构建面向数据中心的高性能PCIe Gen6存储架构。骆建军特别关注这一方向：“数据中心、智算中心里，涉及数十万硬盘的机柜中，HBA Expander仍然是庞大的存在。美光这一选择较为务实，真正着眼于数据中心的大市场。”
SK海力士与闪迪的联合动作则更具突破性。两家公司联合发布了高带宽闪存（HBF）的首个标准规范，并通过OCP正式公开发布，定位为行业开放标准。HBF采用UCIe互联方案，提供8层和16层NAND芯片堆叠配置，最高支持512GB容量，带宽可达0.4TB/s至3.0TB/s。骆建军评价道：“HBF在性能上能否满足需求，业内尚有争议，但趋势已经明朗，国内需要关注这一方向。”
技术热点：内存墙、能耗墙与新架构的突围
在传统SSD领域，技术路线已经相当清晰，新鲜感逐渐消退。ECC从BCH演进至LDPC、Wear Leveling从SLC适配至TLC/QLC，均已进入成熟期。目前仍能激发讨论的，是PCIe接口速度的持续攀升——从Gen3到Gen4，再到Gen5、Gen6，甚至Gen7。
“Gen6与Gen5之间存在一个技术鸿沟，即编码方式从NRZ转变为PAM-4。”骆建军指出，“这对主控设计者而言，是当前最具挑战的跨越，类似当年USB从2.0到3.0的转型。”
ScaleFlux在FMS上推出了PCIe Gen6 SSD控制器FC6116和CXL Type 3内存控制器MC600，但产品要到2026年第四季度才送样，更多是提前占位。
骆建军把本届峰会最核心的技术趋势概括为一句话，即AI正在重新定义“内存”。在大模型时代，参数规模持续增长，推理请求不断增加，数据吞吐需求快速提升。内存不再是传统计算中的“配套部件”，而是AI基础设施的核心组成部分。
HBM已成为AI芯片竞争的新战场。更高带宽、更大容量、更低功耗，是HBM4带来的三大变化。与此同时，CXL（Compute Express Link）正在推动AI服务器的“内存扩展革命”——通过内存池化，多个计算节点可以共享更大的内存资源；通过分层内存架构，HBM、DDR、SSD各司其职，形成“高速层—中间层—存储层”的协同体系。
一切为了AI，存储从“配件”走向“核心”
回顾本届FMS，骆建军给出了一个简洁而有力的总结：一切为了AI。
“今天我们讲存储，已经不是讲什么盘给电脑用，好像存储是个配件。今天的存储，已经是计算的一部分了。”他指出，计算的性能与效率，相当程度上取决于如何让存储更靠近计算，让带宽更宽，让延迟更小。
从高速接口的PAM-4编码突破，到内存墙与能耗墙的技术攻坚，再到NAND Flash与DRAM的深度融合——未来的存储产业，不再是单一器件的竞争，而是系统级架构的较量。
“纯NAND Flash在AI时代已经不够了，必须与DRAM搭配，两者协同，单个都无法独立完成。”骆建军说。国外的三星、美光、海力士都已同时布局DRAM和Flash，国内的长存、长鑫未来也必然走向融合。对于系统厂商而言，必须将两者结合起来思考，从KV Cache、向量数据库到数据湖，整个概念都需要通过DRAM与Flash的协同，来实现容量与速度的综合平衡。
骆建军教授最后说，FMS 2026，存储产业正式宣告：AI时代，存储不再是配角。
