在AI带动存储需求持续增长的背景下，SK海力士宣布启动新一轮产能扩张计划，将分别在韩国龙仁和清州新建DRAM和NAND闪存晶圆厂，总投资达到54万亿韩元（约373亿美元），进一步提升AI时代所需的HBM、DRAM以及NAND闪存产能。
SK海力士引用市场研究机构Omdia的数据表示，从2025年至2030年，全球DRAM和NAND市场预计都将保持约19%的复合年增长率（CAGR）。
公司认为，这一轮增长并非过去存储行业常见的周期性”超级景气周期”，而是一场长期的产业结构变化。
SK海力士表示，在AI时代，存储已经不再只是服务器中的一个普通零部件，而正逐渐成为决定AI系统性能的重要基础设施。因此，公司希望提前布局产能，以满足未来持续增长的AI市场需求。
不过，业内也指出，尽管AI提升了存储的重要性，但存储本质上仍属于半导体元器件，行业依然存在供需失衡导致价格波动的可能。
根据规划，此次投资包括两座新晶圆厂，龙仁Y2晶圆厂投资35.2万亿韩元（约242亿美元），主要生产HBM及下一代DRAM产品。清州M17晶圆厂投资19.1万亿韩元（约131亿美元），作为新的NAND闪存生产基地。
清州M17预计于2027年2月开工，洁净室将在2028年12月投入使用。龙仁Y2预计于2027年7月开工，洁净室计划于2029年6月启用。
其中，龙仁Y2建筑面积约113万平方米（约34.1万坪），清州M17建筑面积约68万平方米（约20.6万坪）。
SK海力士今年6月公布了新的长期投资计划，将向龙仁半导体产业集群投资600万亿韩元，并向清州生产基地追加100万亿韩元投资。
目前，龙仁首座晶圆厂Y1正在建设中，计划于2027年2月启用首个洁净室，未来将分阶段建设最多6个洁净室，同时生产HBM和传统DRAM。
Y2则是龙仁园区规划四座晶圆厂中的第二座，后续还将建设Y3和Y4。
值得关注的是，SK海力士原计划到2045年完成整个龙仁园区建设，但由于AI市场对HBM和DRAM需求远超预期，公司已将全部四座晶圆厂的建设目标提前至2033年，比原计划整整提前了12年。
相比DRAM，SK海力士选择在清州扩建NAND产能，主要原因是当地能够最快完成新厂建设。
目前清州园区已经拥有M11、M12和M15三座晶圆厂，而M17将成为新的NAND制造基地。
需要注意的是，M16晶圆厂并不位于清州，而是在韩国利川（Icheon）园区，于2021年建成投产。
SK海力士相关负责人表示，通过提前建设生产能力，希望进一步成为全球AI基础设施的重要合作伙伴，并为全球AI半导体供应链稳定提供支持。
