现状

随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产，MLC芯片应用也越来约广泛，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。 读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备控制芯片和ECC校验机制，目前有的主控 芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bitECC校验和软件校验相结合，从而减轻了主控负担，但是这只是 在一定程度上减少出错的几率，MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。

MLC在架构上取胜SLC，很多厂商目前都MLC做了很多的优化和开发，未来可能将是一个主流方向，但目前来说技术还不是很成熟。而成本上来说，MLC要便宜SLC芯片，所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片，但却没有增加控制芯片或者ECC 校验，使得不少问题则由此而生，使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以目前大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候，不能一味的只看价格，而需要更多层面的去考虑。

MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始，当时作为NAND Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit 和8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构，声称SLC优于MLC，但该公司于2004和 2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任何营销材料，但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2，比东芝的90nm工艺MLC NAND闪存大了18mm2。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外，现在拥有了英特尔MLC 技术的IM科技公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手，大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行着。