大概六十年前，半导体存储首先要解决的，是如何让数据在断电后依然保存下来。
1967年浮栅晶体管的出现，为EPROM、EEPROM以及后来的闪存奠定了技术基础。此后，随着NAND闪存逐渐成熟，数据开始能够以更高密度、更低成本保存在芯片中，闪存也由早期的程序和固件存储，逐步进入数码相机、手机、个人电脑等更广泛的应用市场。
但闪存真正成为主流，不只依赖介质本身。随着主控、固件、纠错算法和接口技术不断演进，NAND芯片被进一步封装为存储卡、嵌入式存储和SSD。
3D NAND把存储单元从平面结构推向垂直堆叠，TLC、QLC不断提升存储密度，PCIe和NVMe则逐步释放闪存的并行访问能力。
闪存由此从消费电子中的存储介质，进入服务器、云计算和企业级数据中心，成为现代数字基础设施的重要组成部分。
如今，AI飞速发展又把闪存推到了新的位置。大模型训练需要持续读取海量数据，还有频繁保存模型检查点。推理系统要调用模型、知识库和上下文，多模态和智能体应用还会不断产生文本、图像、音频、视频、日志和任务结果。
AI对存储提出的要求，不只是能存更多数据，还要以更高性能、更低时延和更合理的成本，把数据持续传输给算力系统。
这也意味着，闪存介质与SSD正在迎来新一轮分工与演进。
一方面，靠近计算侧的企业级SSD需要更高的随机访问性能、更稳定的时延和更好的能效，以减少CPU和GPU等待数据的时间。
另一方面，AI数据湖、知识库和多模态数据持续扩张，又推动大容量、高密度SSD承担更多数据沉淀任务。
介质、主控和SSD之间的关系，也因此变得更加紧密。介质决定容量、耐久和成本基础，主控与固件负责管理数据、纠错和性能调度，SSD产品则要根据训练、推理、数据准备和数据湖等不同负载形成更清晰的定位。
此外，还有面向AI推理场景提出的高带宽闪存HBF，尝试借鉴HBM的堆叠与高带宽思路，利用NAND介质、晶圆键合和先进封装，在接近计算单元的位置提供更大的存储容量。
HBF目前仍处于标准化和产业化推进阶段，但它释放出一个重要信号——AI不仅正在改变SSD的产品形态，也可能反向推动NAND介质、封装方式以及存储与计算的连接关系发生变化。
因此，AI时代驱动下的闪存介质与SSD的创新远未结束。
2026年8月26日下午，全球存储峰会期间，闪存介质与SSD创新论坛将在武汉光谷皇冠假日酒店举行。论坛将邀请业内知名专家学者担任出品人，邀请闪存介质、SSD主控、企业级SSD及相关产业链企业代表沟通交流，共同讨论介质创新与SSD未来，观察AI时代存储产业的新变化。
本论坛希望搭建一条从底层介质、控制技术到SSD产品的讨论主线。对参会者而言，这是了解闪存技术进化和企业级SSD趋势的窗口，对于产业链企业而言，这也是展示技术路线、寻找上下游合作伙伴参与行业议题定义的平台。
希望大家有所收获，敬请关注本场论坛最新动态！
