标签：相变存储

IBM认为基于相变存储的模拟芯片可加速机器学习

2019-02-15崔欢欢

近期IBM称，通过采用基于相变存储的模拟芯片，机器学习可以加速一千倍。相变存储（PCM）是基于硫属化物玻璃材料，能在施加合适电流时将介质从晶态变为非晶态并再变回晶态，基于材料所表现出来的导电性差异来存储数据。PCM设备是非易失性的，访问延迟...

2016-05-31朱朋博

IBM研究院的科学家采用一种较新的存储技术，即被称为相变存储（PCM）技术，首次展示了每个单元稳定的存储3比特数据的能力。目前常用的存储器主要有DRAM、硬盘驱动器以及普遍使用的闪存盘（U盘）。但在过去的几年，PCM因其综合了高速读/写、...

2014-08-05朱朋博

比NAND闪存更快的存储技术在很长时间以来都没有用在智能手机和数据中心上，但是已经有人在默默的做准备以期未来能更好的利用它。在本周举行的闪存峰会上，西数旗下的HGST就展示了被称作全球最快的固态硬盘，这是一项先进技术成果展示。它跟别的S...

2013-12-26朱朋博

2013年12月26日存储在线报道：日前，宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，结束了中国芯片...

2013-12-06renxinbo

以“‘芯’时代、‘存’世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”在宁波举行。现场发布了55纳米相变存储技术，宁波时代全芯科技有限公司成...

2011-03-14liukai

DOSTOR存储在线3月14日国际报道：相变存储（Phase-change memory，PCM）的地位似乎正在发生变化，以前它是一种发展前景光明的新生技术，现在马上要面临众多的替代技术。相变存储是一种涉及到内存单元的硫族化物层的材料状态...

2010-12-03liukai

IBM公司系统与技术集团的首席技术官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技术的芯片尺寸微缩能力将超越常规闪存芯片，并会在3-5年内在服务器机型上投入实用。Menon称IBM将继续开发自有PCM技术专利，不过专利开发完成后，I...

2009-11-02lixuyang

英特尔和Numonyx发布了一个新的方式来建立垂直堆栈的相变内存而不会失去性能。( 《英特尔宣称PCM技术取得突破最小5纳米》）相变存储器（PCM）是一个实验性的内存技术，其具有非易失性，位寻址的性能，这就不同于闪存。PCM可以以更小...

2009-09-23lixuyang

三星电子确认，广为看好的PRAM相变随机存储器终于投入了大规模量产，比原计划的六月份晚了足有一个季度，距离三星首次展示也已经过去了四年多。 PRAM是一种非易失性存储技术，通过切换硫系玻璃的结晶态和非结晶态来代表1和0，进而保存数据，不但可...

2007-06-06dostor

教育部科技发展中心网2007年6月6日报道??通常计算机的存储单元能存储0或1，但是一项新的研究证明了能够存储2或3。最近科学家利用激光脉冲改变镓粒子的四态结构。此项证明一次只运...