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崔 欢欢的文章

全球闪存峰会预热:RRAM的关注度

阻变存储器(Resistive Random Access Memory,ReRAM或RRAM)作为新型存储器之一,是基于非导性材料在外加电场作用下实现高阻态和低阻态之间的可逆转换。存储原理是通过改变材料的电阻状态来存储数据。 其发展轨迹大...

全球闪存峰会预热:铁电存储器观察

铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory,被称为FRAM或FeRAM)利用铁电晶体材料的电压-电储流关系具有滞后回路的特点来存储数据。并且铁电材料的极化特性使其能够在没有电源的情况下保持数据。 其技术...

以后3D NAND要堆多少层?

一直对3D NAND要堆多少层有执念,或许和痴迷过叠大楼游戏有关,即便是简单的叠高楼游戏,也很考验人的耐心和定力,堆叠更是一门技术活了。事实上,闪存发展史从堆叠角度也可以看到一些变化:从1967年浮栅MOSFET出现到2008年,闪存都是基...

绿算韩晖:存力助推新质生产力

2024年4月24日,以“释放数据要素价值”为主题的2024数据基础设施技术峰会分布式存储技术与应用论坛上,绿算技术副总经理韩晖发表了名为“存力助推新质生产力”的主题演讲,绿算技术是存储界的新生势力,演讲探讨如何利用先进的存储技术提升新质生...