存储在线美光已经构建了世界上最小的每单元3比特NAND芯片，目标直指U盘记忆体和类似的记忆体，而Facebook的开源硬件专家已经表示这种芯片可以为它的云数据中心提供极其便宜的闪存存储。
TLC(三层单元)NAND技术可以在每单元上存储3比特，比标准的MLC(多层单元)闪存还多1个比特。TLC在指定容量水平上提供更便宜的闪存存储——尽管访问速度低于MLC，同时按写入周期计算的工作寿命也远远更低。使用20纳米左右的制程的MLC有3000次裸擦写周期，而差不多制程的TLC闪存的擦写周期只有前者的三分之一不到。
即使通过过量配置来延长它的耐用性，TLC闪存还是不适合用于数据中心。它一般用于U盘和相机记忆体卡——比如SanDisk，在这种使用情境下，工作寿命并不是最重要的，重要的是成本
美光刚刚用20纳米制程制造出128Gb TLC芯片。该芯片的面积只有146平方毫米，一边是12.083毫米，只比小指头大一点点。它意味着TLC闪存应用可以在同样的物理体积内容纳更多的容量。
美光认为今年35%的出货NAND容量都将被用于移动闪存产品，比如记忆体卡和U盘。对小型芯片来说，这是个大市场。
同时，Facebook的Open Compute Project(开放计算项目)倡导者Frank Frankovsky已经从“服务器、网络和存储之山”走下来并提出了和“你不应该提供免费的差异化”类似的戒条宣言。这次是：“你应该在冷数据上使用TLC闪存”。如果他是正确的，那么TLC闪存需求应该会更高。
人们已经认识到TLC闪存已经和薯条一样便宜，而且比磁盘和磁带的速度快得多。Frankovsky在和ArsTechnica交谈的时候表示你应该设计一个控制器算法来跟踪单元状态并设计一个像磁盘驱动器坏块列表一样的坏单元列表。坏的TLC闪存单元忽略掉就好了。通过了解哪些单元是好的，哪些是坏的，你可以构建一个比磁盘更便宜的冷存储闪存资源，因为你不需要在数据中心的成百上千个磁盘中替换坏磁盘驱动器所需要的技能。
Facebook可以摆脱因为希望所有的东西都能物尽其用并且这些产品尽可能简单以节约成本而重写服务器、网络和存储产品规则。Fackbook还希望抛弃所有没用的差异化。
规模是让Facebook重写基本计算产品设计和构建规则的原因，供应商们很紧张。服务器、网络和存储产品供应商正在注视利润杀手“摩西”Frankovsky和他的雇员们正在做什么并为之颤抖。