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标签:PCM 第2页

PRAM技术商业化受阻 失去光环进退维谷

DOSTOR存储在线3月14日国际报道:相变存储(Phase-change memory,PCM)的地位似乎正在发生变化,以前它是一种发展前景光明的新生技术,现在马上要面临众多的替代技术。 相变存储是一种涉及到内存单元的硫族化物层的材料状态...

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详解I/O瓶颈:数据存储的威胁与解决之道

Henry Newman是Instrumental Inc.的首席技术官,也是企业存储论坛的常驻作者。他是一位行业咨询师,在高性能计算和存储领域拥有28年的工作经验。 数据存储已经成为企业应用中的薄弱环节。如果没有存储厂商的齐心协力,这个技...

PCM遭遇容量瓶颈 堆栈技术有望解决难题

英特尔和Numonyx发布了一个新的方式来建立垂直堆栈的相变内存而不会失去性能。( 《英特尔宣称PCM技术取得突破 最小5纳米》 ) 相变存储器(PCM)是一个实验性的内存技术,其具有非易失性,位寻址的性能,这就不同于闪存。PCM可以以更小...

英特尔宣称PCM技术取得突破 最小5纳米

英特尔与芯片技术公司Numonyx周三发布了一项新技术。这两家公司声称该技术可以使非易失性记忆体突破NAND的20纳米限制,可以将处理尺寸降低至5纳米,而且可以取得很高的成本经济性。 此外,这种记忆体的堆叠阵列还具有取代现有DRAM(动态随...

三星看好PCM内存潜力 有望取代现有闪存

三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式。 多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段。PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排列,它的状态就会发生改变...