数据存储产业服务平台
共 16 篇文章

标签:PCM

IBM展示相变存储技术,单元存储量提升到3比特-存储在线-存储专业媒体

IBM展示相变存储技术,单元存储量提升到3比特

IBM研究院的科学家采用一种较新的存储技术,即被称为相变存储(PCM)技术,首次展示了每个单元稳定的存储3比特数据的能力。 目前常用的存储器主要有DRAM、硬盘驱动器以及普遍使用的闪存盘(U盘)。但在过去的几年,PCM因其综合了高速读/写、...

IBM公布PCM内存技术方面重大突破

本周二,在巴黎举办的IEEE国际内存研讨会上,IBM研究院宣布其科学家在相变内存(PCM)技术上取得了重大突破。2011年这也是第一次,科学家能够采用PCM在每单元真正实现存储3字节。这项内存突破可能提供快速简单地存储,尤其有利于移动和物联...

HGST携第二个“性感”PCM亮相

HGST作为一头“性感野兽”,于今年美国闪存峰会上再一次高姿态展示其相变存储器。 在闪存业内走“性感”路线,HGST认为这还是热门之选里的少数——又一次—&...

国产55纳米相变存储技术发布

2013年12月26日存储在线报道:日前,宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术,为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路,结束了中国芯片...

释放内存 相变内存单元件存储多个数位

相变材料(PCM)内存(简称相变内存)能在单个元件上存储多个数位,有望从根本上解决即将到来的内存危机,而无需增大现有芯片的尺寸。 我们不能无限制的在记忆卡上存储。虽然以前公布的将单个比特的数字信息存储在12个原子上十分引人注目,但在某些时刻...

IBM取得计算机记忆体技术上的突破

DOSTOR存储在线 7月6日国际报道: 瑞士苏黎世:IBM Research的科学家首次展示了新的记忆体技术,也就是相变记忆体(PCM)。科学家在每个记忆体单元上可以在更长的时间内存储多个比特的数据。这个重大的技术进步有助于发展低成本、更...

zhabinzhabin新闻

IBM相变记忆体研发迈过两道门槛(下)

DOSTOR存储在线 7月4日国际报道: PCM的原理 相变记忆体在数据记录上有一个简单的基本设计:利用热量来改变硫化物玻璃材料的电介性质。 左边,一个示意图显示了相变记忆体单元是如何布置的;右边,放大显示了相变单元(PCE)以及它与电极的...

zhuyuzhuyu新闻

IBM相变记忆体研发迈过两道门槛(上)

DOSTOR存储在线 7月1日国际报道:IBM已经解决了与相变记忆体有关的两个问题,表示下一代快速数据存储技术将可以在2016年应用于服务器。 在IEEE(电气和电子工程师协会)国际记忆体工作组的一篇文章中,IBM的研究人员描述了他们是如何...

zhuyuzhuyu新闻

PRAM技术商业化受阻 失去光环进退维谷

DOSTOR存储在线3月14日国际报道:相变存储(Phase-change memory,PCM)的地位似乎正在发生变化,以前它是一种发展前景光明的新生技术,现在马上要面临众多的替代技术。 相变存储是一种涉及到内存单元的硫族化物层的材料状态...

liukailiukai技巧

详解I/O瓶颈:数据存储的威胁与解决之道

Henry Newman是Instrumental Inc.的首席技术官,也是企业存储论坛的常驻作者。他是一位行业咨询师,在高性能计算和存储领域拥有28年的工作经验。 数据存储已经成为企业应用中的薄弱环节。如果没有存储厂商的齐心协力,这个技...

PCM遭遇容量瓶颈 堆栈技术有望解决难题

英特尔和Numonyx发布了一个新的方式来建立垂直堆栈的相变内存而不会失去性能。( 《英特尔宣称PCM技术取得突破 最小5纳米》 ) 相变存储器(PCM)是一个实验性的内存技术,其具有非易失性,位寻址的性能,这就不同于闪存。PCM可以以更小...

英特尔宣称PCM技术取得突破 最小5纳米

英特尔与芯片技术公司Numonyx周三发布了一项新技术。这两家公司声称该技术可以使非易失性记忆体突破NAND的20纳米限制,可以将处理尺寸降低至5纳米,而且可以取得很高的成本经济性。 此外,这种记忆体的堆叠阵列还具有取代现有DRAM(动态随...

三星看好PCM内存潜力 有望取代现有闪存

三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式。 多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段。PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排列,它的状态就会发生改变...