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标签：MRAM

加码布局中国市场，助力MRAM与磁传感器的本土研发与制造

2026年3月24日，Mycronic 旗下子公司 Hprobe 正式宣布携手知名科学仪器制造商Quantum Design China，首度亮相半导体行业盛会 SEMICON China 2026。作为半导体行业磁性测试设备（ATE）领域...

近期，CEO Sylvain Dubois(前谷歌员工)和CTO Sebastien Couet（前比利时微电子研究所专家）创立的初创公司Vertical Compute 宣布已成功完成 2000 万欧元的种子轮融资。此轮融资由 imec...

华澜微电子新型企业级闪存控制器将为Everspin的1 Gb STT-MRAM内存提供原生支持。

据韩国媒体报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，能够应用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子...

和RAM一样快的永久存储被广泛认为会使服务器和存储行业摆脱一年或三年的换代周期，而这个改变如今随着美国公司Everspin开始提供256Mb磁阻式随机存取存储器(MRAM)样品更近了一步。 Everspin 称该产品为转矩MRAM(ST-M...

近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。 MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数...

近日，日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存，已经存在一段时间了，但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质，而它的名字来自自旋传输矩，也即是写入数据...

2014年1月2日存储在线报道：早在 2005 年，物理学教授 Johan kerman 已经提出了磁阻内存（magnetoresistive random access memory，MRAM）是一个具有发展前景的&ldqu...

今天，东芝和海力士（Hynix）宣布一条划时代的信息：正式在MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory，自旋扭矩转换磁性抵抗型随机存储器）技术领域进行合作...

飞思卡尔将MRAM 技术商业化 MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎是没有限制的。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。作为首家将...