新一代存储介质制造，从四万年前说起…-存储在线-存储专业媒体

华中科技大学武汉国际微电子学院执行院长邹雪城院长一直从事电子信息工程与微电子技术的研究工作，在显示技术领域如a-Si/poly-Si TFT LCD工艺、器件及外围控制驱动电路和工业化技术等方面有较大成就。先后主持国家自然科学基金、国家”863″计划项目、国防研究基金、国家攻关、国防电子预先研究重点项目等共30余项科学研究与开发项目。在国内外重要学术期刊和学术会议上发表论文近300篇，申请并获批中国专利60余项，获得部级科研成果奖2项。作为论坛主席，邹院长将会引领大家感受一场别样的知识分享会，拭目以待。

上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室主任宋志棠宋志棠是上海微系统所纳电子材料与器件学科带头人，国内PCRAM材料与器件研究的开创者，国家集成电路重大专项PCRAM项目和973项目首席科学家与项目负责人。主要研究方向为相变存储材料与器件、纳米抛光液等，主张与产业结合开展相变存储器（PCRAM）研发，并与中芯国际和Microchip联合建立了12英寸PCRAM专用技术平台，开发出了我国第一款PCRAM芯片，在中国首次将PCRAM芯片推向量产。本次大会宋主任将为你带来相变存储介质的发展与最新研究发现。

复旦大学微电子学院副院长 张卫教授自1997年以来在集成电路先导工艺技术、半导体器件和半导体材料等方面开展系统研究，并取得如先进铜互连技术、新型阻变存储器和半浮栅器件等创新性成果。今年集芯片成为当下科技领域最热词语没有之一，被认为是国际竞争中的决胜领域。张教授曾指出核心器件将引领集成电路的创新发展。其主要研究的半浮栅晶体管是一种新型微电子基础器件，结合了隧穿场效应晶体管（TEET）和浮栅晶体管构建，致力于解决我国集成电路主流技术方向选择和可靠技术来源问题。现在大家对了解半浮栅晶体管的应用是不是有点小期待呢？

2015年，中电海康驰拓科技有限公司总经理刘波博士带领中电海康磁旋存储事业部正式注册成立为“浙江海康驰拓科技有限公司”，成为中电海康集团有限公司旗下独立子公司。去年11月，由海康驰拓主导，总投入达13.5亿元的中电海康磁旋存储芯片研发及中试基地项目(新型存储芯片—STT-MRAM)正式落户青山湖科技城。海康驰拓专注新型高速非易失存储技术MRAM的研发，在刘博士的演讲中，就当前的DRAM技术VS创新型MRAM技术，将会碰撞出怎样的火花呢？

教育部长江学者特聘教授、华中科技大学武汉国际微电子学院副院长缪向水教授，主要研究领域为相变存储器、忆阻器、磁存储器、光存储等信息存储材料与器件。当前，我国每年进口额高达2600亿美元，其中四分之一为存储器，95%的存储器芯片依靠进口，因此实现自主研发的新一代存储芯片势在必行。而缪教授带领团队专注基于相变存储器的3D XPOINT技术。相变存储器号称最有希望取代闪存的候选技术之一，利用硫系化合物晶体和非晶之间的快速切换进行信息擦写，在晶体管摩尔定律即将结束时，形变存储技术有望延续甚至突破摩尔定律，实现支持服务于新一代3D XPoint技术。此次他的演讲主题为《相变存储器及3D XPoint相关技术》。

国家千人计划专家、四川凯路威电子有限公司董事长兼CEO 彭泽忠, 演讲主题为《氧化层反熔丝存储器（XPM-Super Permanent Memory）技术及应用》。氧化层反熔丝存储器是通过将数据存取单元构建在超薄绝缘体介质(例如栅氧化层)的周围。然后在超薄绝缘介质上施加应力而使其击穿(软击穿或硬击穿)，调整存储单元的漏电流水平，从而实现存储信息。彭总是XLPMTM技术和X-RFID技术的发明人，2001年创建四川凯路威电子有限公司，专注于新型RFID芯片的设计与开发，目前已研发出高频（HF）、超高频（UHF）两大系列多款芯片产品，并实现商用量产。

EEPROM（带电可擦可编程只读存储器），可在电脑或专用设备上擦除已有数据，再重新编程写入数据。相比EPROM，EEPROM无需紫外线照射，用特定的电压，就可以擦除数据，并写入新的数据，相比闪存产品在擦写次数上有更大优势，再加上更小的尺寸和较低的擦写电流，在智能手机市场炙手可热。而聚辰目前拥有全系列的EEPROM产品，在其技术与应用方面，

聚辰半导体资深市场部总监 李强在本次演讲中将为我们带来更多精彩内容。

当然，除了本论坛外，第二天的论坛还包括

闪存存储技术新趋势论坛（链接）

SSD设计与控制器技术论坛（链接）

全闪存系统与存储网络技术论坛（链接）

新一代存储器技术与应用论坛（链接）

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