全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技(NasdaqGS: SIMO)，今日宣布推出SM2524XT，专为AI推理和KV Cache密集型工作负载所打造的新一代PCIe Gen5 DRAM-less SSD主控芯片。SM2524XT采用全新四核处理器核心架构，结合PCIe Gen5 x4和高达4800MT/s的NAND接口速度，可实现高达14GB/s的连续读取速度，以及业界*高达250万IOPS随机访问性能。
SM2524XT采用先进的台积电(TSMC)6nm制程技术打造，相较上一代主控芯片，能够实现高达25%的每瓦性能的提升，即使在严苛的散热与功耗受限条件下，仍可持续维持峰值随机I/O吞吐量。相较上一代主控芯片，SM2524XT的随机访问性能*高提升25%，显著降低延迟并加快响应速度，从而更好地应对KV Cache与AI推理工作负载所特有的高度碎片化数据访问模式。
慧荣科技终端与车用存储业务资深副总段喜亭先生表示：“KV Cache已成为AI推理性能的关键因素，推动了对持续高随机读写吞吐能力以及低延迟数据访问的需求。为应对不断演进的AI PC，以支持日益复杂的本地AI Agent和端侧LLM工作负载，SM2524XT专为新一代AI存储架构所需的随机I/O性能、延迟稳定性以及能效表现而设计。”
随着端侧AI推理复杂度不断提升，KV Cache已成为决定AIPC响应流畅与性能迟滞的关键存储瓶颈。与传统消费型SSD工作负载不同，KV Cache会产生持续不断、高度碎片化且对延迟敏感的随机读写操作，要求在持续负载下稳定的IOPS吞吐能力，以及极低延迟且高度稳定的性能表现。SM2524XT从零开始设计，专为AI驱动的访问模式而打造，在*严苛的持续推理负载下，仍能保持稳定的随机I/O性能。
SM2524XT集成慧荣科技分离命令地址(SCA)技术、先进的FTL调度以及NANDXtend LDPC ECC技术，以提升并行数据处理效率、减少延迟中断，并在持续AI工作负载下保持稳定的性能表现。
