标签：V-NAND

2014-08-11朱 朋博

原标题为：《三星：利用3-bit垂直NAND成功缩减编程时间》 韩国闪存代工巨头三星已经在本届闪存记忆体峰会上宣布，将把3-bit（即TLC）闪存引入其V-NAND产品线。 该产品采用TLC NAND 32层设计，作为三层存储单元、TLC与...

2014-08-11朱 朋博

Violin Memory已经打造出一款6000系列入门级全闪存阵列，正式名称为6100。这家新兴企业希望该产品能够作为其高端企业级产品的补充性方案，帮助公司在更为广阔的中端市场上取得理想份额。 6100机型使用的是与6200相同的19纳米...

2014-07-28朱 朋博

三星最先进的固态硬盘已经开始在Newegg上开卖了，三星表示3D V-NAND闪存芯片技术可以提供更高的性能、耐用性和效率，同时还能减少20%耗电量。 三星的 850 Pro固态硬盘专为工作站和高性能PC设计而生。 基于三星的V-NAND,...

2014-07-01renxinbo

DOSTOR首尔现场报道：2014年7月1日三星电子在首尔举办“2014三星固态硬盘全球峰会”，作为全球领先的存储品牌三星电子，此次峰会中发布了基于3D V-NAND闪存技术的850PRO固态硬盘（SSD）。 三星8...