标签：NAND

2012-02-24wangzhen

2011年的泰国洪灾为全球存储行业带来了不容小觑的影响，同时今年的硬盘缺口严重，硬盘缺货现象持续下去，也许到9月又或甚至到2013年，对硬盘行业的长期发展绝对不是一个好消息，但这却是闪存发展的好时机。 早年间，闪存(Flash Memory...

2012-02-24wangzhen

SanDisk闪迪今天宣布，已经联合东芝开发出世界上最小的128Gb(16GB) NAND闪存芯片，在仅仅170平方毫米的硅片上存储了1280亿比特信息，比一颗普通硬币还要小。 该芯片使用的制造工艺是SanDisk今年初刚刚投产的最先进19...

2012-02-20wangzhen

2012年的另一个存储明星将是NAND闪存。针对数据中心，固态硬盘一直在SAS和SATA硬盘驱动器旁边，针对手持设备，NAND闪存也在广泛应用。可以预见，闪存不管在企业级用户还是消费电子行业中都在逐渐普及。 虽然数据存储一直企业或数据中心中...

2012-02-02wangzhen

存储在过去两年很少引起人们的重视，尽管数据存储一直是技术的一个必要基础构成。现在正相反，零售企业和消费者正在被迫存储大量的数据，他们需要做出更多有用的数据和访问。 IBM存储软件开发的副总裁Steve Wojtowecz说：“存...

2012-01-30wangzhen

虽然NAND闪存可能在2020年末引领企业级固态存储的蓬勃发展，不过这种技术潜在的对手已经出现，并开始获得业内关注。这些技术包括相变内存(PCM)、磁阻随机存取内存(MRAM)和电阻式随机存取内存(RRAM)。 在过去的数年中，这些新兴的内...

2012-01-16wangzhen

DOSTOR存储在线 1月16日国际报道：IBM Research旗下的Almaden研究中心的研究员们将1个比特的数据储存到了12个原子中，这种存储技术的密度比NAND闪存技术大了150倍。 他们利用抗磁现象让12个原子构成一个稳定团体，...

2012-01-13wangzhen

DOSTOR存储在线 1月13日国际报道：OCZ在2012年CES展会上展出了首款使用3位NAND的主流电脑闪存硬盘。 闪存分为单级单元和多级单元两种，单级单元闪存速度快，使用寿命长，但价格昂贵;多级单元闪存速度慢，使用寿命短，但价格便宜得...

2011-12-08wangzhen

DOSTOR存储在线 12月8日国际报道：NAND尺寸缩小实际上指的是NAND制造中闪存单元制程的缩小。 Intel Micron Flash Technologies(IMFT：英特尔美光闪存技术公司)刚刚发布了一个使用2比特多层单元NA...

2011-12-06wangzhen

据收集的DRAMeXchange数据显示，NAND Flash11月下半月合约价格继续呈下降趋势，SSD短期交货订单虽然刺激NAND芯片需求，但供过于求仍然是导致价格下跌的主要原因。 在过去的几个月内，泰国洪水导致硬盘驱动器及相关关键部件供...

2011-11-24wangzhen

英特尔710系列SSD最大的特点在于使用了25nm新工艺的MLC NAND多层闪存芯片，而不同于上一代X25-E系列的50nm SLC NAND老工艺单层芯片，本文将深入挖掘新产品贼速度和可靠性方面的表现。 在大型数据中心和超级计算机实验室...