标签：NAND

2010-05-14lixuyang

东芝公司正在计划开发一个包含有NAND和传统磁盘的混合固态硬盘驱动器产品。 根据国外媒体报道，东芝在5月11日于日本发布了其NAND闪存战略。东芝表示："硬盘和SSD的混合可以节省能源。相较HDD，混合式驱动器可以节约约百分之八十...

2010-04-12lixuyang

惠普今天宣布将Memristor技术的开关速度和耐久性进一步提高到等同于目前NAND闪存单元的水平。 Memristor或忆阻器技术据说和电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间，忆阻器的电子状态保持不变R...

2010-04-02lixuyang

据韩国《中央日报》报道，世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块，并计划从4月开始生产该产品。 40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，...

2010-03-08lixuyang

苹果iPad平板机和固态硬盘的普及似乎是八竿子打不着的两码事儿，不过硬盘厂商认为，iPad的出现可能会导致NAND闪存供应紧张，进而影响固态硬盘在PC系统中的应用和推广。 继iPod播放器、iPhone手机之后，苹果iPad平板机今年有机会...

2010-03-03lixuyang

镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生 产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计...

2010-02-23lixuyang

市场研究公司iSuppli近日表示，由于iPhone成为NAND内存的最大使用设备，随着该产品销售的增加，NAND闪存芯片在2010年的某一时期将出现供货紧张。   iSuppli公司内存及储存方面的高级分析师迈克尔·...

2010-02-11lixuyang

继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。 海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的2...

2010-02-02cuihao

英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首个25纳米NAND技术——该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器(PMP)等流行消费电子产品，以及全新高性能固态硬盘(SSD)的存储容量，提供更高的成本效益。 NAN...

2010-01-04lixuyang

据台湾媒体报道：NAND闪存今年主流制程将转进40纳米以下世代，新制程NAND芯片读写速度均大幅提高1倍到1Gbps以上，包括三星、东芝、英特尔等企业，将在今年美国消费性电子展（CES）中宣示跨入USB 3.0世代。 受惠NAND业者的全力...

2009-12-01dostor

此前有媒体曾经报道过苹果对NAND闪存需求量过大导致NAND闪存市场出现供不应求的局面，受此影响的不只是下游厂商，连闪存芯片制造商都忍不住开始指责苹果。 据韩国时报报道，有芯片制造商称苹果常常放出大量的闪存订单，但是实际购买量却很少，导致闪...