数据存储产业服务平台

2022年冬奥会还远 还是说说眼前的3D XPoint

今天一个值得纪念的日子,北京申冬奥成功,创造了全球第一个同时举办夏季和冬季啊奥运会的历史,一个字骄傲(对不起,是2个字,高兴冲昏了头脑)。
 
申奥成功被各种刷屏,但在存储朋友圈里,3D XPoint还在被津津乐道。有人说,新的3D XPoint是内存(RAM)的速度的1000倍。我记得是闪存(SSD、NAND)速度的1000倍,我以为自己记错了,赶紧查了查新闻稿。没错,是闪存速度的1000倍,我是对的。
 
何来内存(RAM)速度1000倍呢?其实也没有什么,我说过:看不懂的英特尔3D Xpoint,有点错误正常。
 
也有说,3D XPoint证明搞半导体,说穿了就是搞材料,因为3D XPoint不是PCM(Phase Change Memory,相变存储装置),不是NAND,那么应该就是新材料。如此一来,很担心模仿者的速度。
 
如果说是新材料,在“看不懂的英特尔3D Xpoint ”一文中,所说的猜测就不成立了。猜错了吗?
 
为此,我又和Greenliant亚太营销副总裁李炫辉先生进行了交流,人家才是专家嘛。

李炫辉表示,从这个来看,横的应该是绝缘层。纵向是Selector和Memory Cell,应该是存储,一个是NAND,一个RAM,和上次猜测的一样。
 
3D Xpoint和FlashTec NVRAM有近似之处。其中,NVRAM是将RAM和NAND结合在一起,设计上,通过增加一系列电容和控制连接的设计(请原谅,我非专业人士,描述未必准确)。作用是,当意外断电的发生时,利用电容供电,将RAM中的数据,高速传递给NAND保存,数据不丢失。大概这就是NVRAM的做法。好处是,内存RAM的高速,NAND的非易失性兼顾。这个描述和3D Xpoint是不是很像。
 
3D Xpoint差别之处在于,RAM和NAND之间不是靠电容和控制,猜测应该利用所说的3D Xpoint的新材料,通过电位差(我又不专业了,意会吧)实现数据从RAM到NAND的高速传递,RAM和NAND可以做到Cell一级传递。总之,替代了NVRAM的高速互连方法。
 
是不是如此,没有更多披露。专业的解读,不够专业的转述,供大家参考。
 
如此一来,看来3D Xpoint首先针对内存(RAM),而不是NAND。所以,有脱离NAND,新一代存储主战场的嫌疑。但也不尽然,未来CPU的设计趋势之一,是将缓存外移,增加计算处理能力,计算和内存借助高速互连(3D Xpoint)实现,兼顾高速互联非易失存储
 
所以,3D Xpoint未来的角色定位如何,还是有很大的想象空间!
 
未经允许不得转载:存储在线-存储专业媒体 » 2022年冬奥会还远 还是说说眼前的3D XPoint