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Pure Storage曝FlashArray//m架构细节

回溯到今年六月,Pure Storage发布了一款名为FlashArray//m的新型全闪存阵列——它们最新的全闪存主存储方案。这也是Pure Storage完成IPO之后首次发布的该阵列进一步信息,尤其是关于构成FlashArray//m的组件——整体架构,NV-RAM,PCIe非透明桥以及它的闪存模块。

在它的架构方面,Pure Storage表示即便它仍利用了商品化组件包括Intel CPU,DRAM Memory和标准SSD,但在新的阵列中已经把它们打包到了一个更小,更高密度的平台。这使得//m能够充分利用这些技术和密度/价格点目标。

Pure Storage在发布会上还表示它们已经设计了自身的NV-RAM盒适用于FlashArray//m,这相比FA-400系列内部使用的SLC SSD向前迈进了一大步,

该存储系统在跨//m阵列所有SSD平均分配数据之前将写入数据放入NV-RAM。利用NV-RAM在Pure称为FlashCare的作用下,促进基础SSD获得更长寿命。NV-RAM在存储阵列景观里并不常见,其他一些先前用到它的包括许多Nexenta部署。而历史遗留问题是极少有NV-RAM解决方案存在。STEC曾构建了一个称为ZeusRAM的固态盘,HGST继续沿用但数量极为有限,其他厂商发布这样的解决方案,也是限量并且价格相当贵。这就是Pure进行自我创新,拥有一个完全适用于//m阵列的客户解决方案的原因

此外,新的NV-RAM模块结合DDR3 DRAM和NAND闪存,两者由超级电容器支持。因此,位于超级电容器内部的储存能量可用于支持NV-RAM模块在突然断电情况下的供电耗损。Pure Storage的新闪存阵列配置了高达4个这样的热插拨模块,双归到两个控制器并且通过NVMe功能PCIe进行连接。

同时发布的还有FlashArray//m对非透明桥(NTB)的使用,一个点对点PCIe总线连接两个系统来提供两个子系统的电隔离。这也使得为确保高可用性所需的必要组件数量有所降低。Pure Storage声称这将意味着布线复杂性变小控制器之间本地性能的一个改进。

Pure Storage使用的闪存模块化设计还考虑到了一个新的中介层(interposer)——从SATA 转换到SAS并在每一个模块中为两个SSD提供接口。这不仅提高了容量,更实现了两倍数量的SSD控制器使得性能有了显著提高。SATA SSD的使用也帮助控制了//m成本。

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