英国发明磁性薄膜新技术可提高计算机存储能力
DoSTOR ◎ 2006-12-11 存储在线
导读： 存储在线 12月11日消息：英国科学家日前发明了一种可以准确控制磁性薄膜中磁场模式的新技术，为进一步提高计算机的存储能力提供了可能。 磁性薄膜可用于制造计算机存储材料。目前的磁性存储技术使计算机硬盘的存储能力趋于饱和，而且以硅为材料的计算机随机存储器
关键词：Storage
存储在线 12月11日消息：英国科学家日前发明了一种可以准确控制磁性薄膜中磁场模式的新技术，为进一步提高计算机的存储能力提供了可能。
磁性薄膜可用于制造计算机存储材料。目前的磁性存储技术使计算机硬盘的存储能力趋于饱和，而且以硅为材料的计算机随机存储器(RAM)芯片在计算机突然断电后，会发生数据丢失的情况。
英国巴斯大学近日发表新闻公报称，巴斯大学、布里斯托尔大学和利兹大学的物理学家成功利用高能镓离子光束来控制厚度只有几个原子的钴薄膜的磁场方向。研究人员解释说，通过控制钴薄膜中的磁场方向可以完成信息的存储，且存储量大大增加。其原理是，以磁场的“上”和“下”来对应计算机传统二进制编码存储技术中的“1”和“0”。
研究人员表示，通过测量磁性薄膜的电阻可读取磁场的方向，这比目前计算机硬盘读取数据的速度快得多。同时，这种新技术还能避免计算机系统突遇断电而发生的数据丢失现象。
研究人员称，这一成果将为研制高容量、永久性的数据存储芯片开辟新途径。
磁性薄膜可用于制造计算机存储材料。目前的磁性存储技术使计算机硬盘的存储能力趋于饱和，而且以硅为材料的计算机随机存储器(RAM)芯片在计算机突然断电后，会发生数据丢失的情况。
英国巴斯大学近日发表新闻公报称，巴斯大学、布里斯托尔大学和利兹大学的物理学家成功利用高能镓离子光束来控制厚度只有几个原子的钴薄膜的磁场方向。研究人员解释说，通过控制钴薄膜中的磁场方向可以完成信息的存储，且存储量大大增加。其原理是，以磁场的“上”和“下”来对应计算机传统二进制编码存储技术中的“1”和“0”。
研究人员表示，通过测量磁性薄膜的电阻可读取磁场的方向，这比目前计算机硬盘读取数据的速度快得多。同时，这种新技术还能避免计算机系统突遇断电而发生的数据丢失现象。
研究人员称，这一成果将为研制高容量、永久性的数据存储芯片开辟新途径。
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