三星：未来三年将投资$5亿在美国建芯片制造基地
◎ 2003-04-29 存储在线
导读： 据ZDNET China报道，未来三年，三星电子将投资5亿美元在美国德克萨斯州的制造基地，进一步发展芯片制造能力，这项投资是三星看好存储器市场前景的重大策略。 三星公司发言人介绍，位于德克萨斯州的奥斯汀是三星唯一的海外芯片制造基地，为了提升技术能力制造出90纳米的处?
关键词：三星
据ZDNET China报道，未来三年，三星电子将投资5亿美元在美国德克萨斯州的制造基地，进一步发展芯片制造能力，这项投资是三星看好存储器市场前景的重大策略。
三星公司发言人介绍，位于德克萨斯州的奥斯汀是三星唯一的海外芯片制造基地，为了提升技术能力制造出90纳米的处理器，公司决定进行投资。投资产出的新型处理器芯片将比目前主流的130纳米处理器芯片的尺寸更小，更便宜。奥斯汀是美国最大的芯片生产园区之一，至今已经生产了适用于台式机和膝上电脑的种类丰富的DRAM内存。
据可靠消息，三星将在下周正式公布投资计划。
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