Spansion宣布计划开发下一代数据储存产品系列──MirrorBit ORNAND架构。以Spansion专有电荷捕获储存技术(charge trapping stroage technology)的新型MirrorBit ORNAND2架构为基础，将在连接于NAND储存器数组中采用类似SONOS的45纳米存储单元，具有快速写入和高封装密度的特点，以发挥NAND技术的性能和成本优势与300mm晶圆的成本结构优势。

以新型架构为基础的产品将主要针对整合闪存市场中的数据储存应用领域，在这种市场中，客户注重具差异化且高价值的解决方案。新的架构将透过45nm系列解决方案扩大现有MirrorBit ORNAND产品系列；与Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND产品相比，能将屏蔽层(mask layers)的大小减少25%，质量也优于浮动闸门(floating gate) NAND解决方案。

新的架构以Spansion专有MirrorBit技术为基础。Spansion表示，采用MirrorBit技术的解决方案占整体NOR闪存市场的22%。透过采用通用技术平台和利用40nm以下的MirrorBit技术具有的可扩展性优势，在同一晶圆厂中可以实现MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2产品的高效生产。Spansion正利用其在专有MirrorBit技术应用的过程中所累积的经验，为MirrorBit ORNAND2技术开发一种专有的类似SONOS的储存单元。

目标分析(Objective Analysis)总监Jim Handy表示，随着技术在规模曲线(scaling curve)上的日渐走低，传统的浮动闸门闪存在45nm及以下制程中正逐渐失去竞争力，而许多公司都提出将电荷捕获技术作为一种解决之道。