PMC推出性能十倍于SSD的闪存加速卡 树立存储性能新标杆

佚名 发表于:14年08月06日 10:34 [来稿] 存储在线

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[导读]Flashtec NVRAM加速卡实现千万次IOPS,为超大规模数据中心及企业级存储构建新级别存储

2014年8月6日消息:引领大数据连接、传送以及存储,提供创新半导体及软件解决方案的PMC公司最新打造超高速存储级内存,加速横向扩展式存储及全闪存阵列中的关键性应用。PMC Flashtec NVRAM闪存加速卡结合了DRAM的高速和耐用与NAND闪存的持续性,实现的性能十倍于最快速的固态盘(SSD),提供的IOPS超过千万次每秒,延迟则低于微秒。Flashtec NVRAM闪存加速卡采用PCI Express (PCIe) 3.0接口,直接与主机相连,从而优化了CPU利用率,并将系统性能推向极致。作为PMC公司企业级Flashtec加速卡与控制器产品系列中最新的一员,该解决方案基于业界标准的NVMe接口,实现了即插即用的PCIe连接,因而缩短了数据中心及企业级存储部署所需的时间。


PMC公司NVM产品线副总裁Derek Dicker表示, “由于基于原生PCIe接口的解决方案实现了CPU与闪存之间的直连,因此为SSD市场带来了巨大变革,也一举突破了传统的性能局限。PMC Flashtec闪存系列产品设立了存储性能的新标杆,其基于行业标准的架构设计也让客户可以更为快速地将存储解决方案推向市场,并可以依据成本、性能及耐用等多方面的考量提供差异化的功能以及产品系列。”

PMC公司新推出的Flashtec NVRAM闪存加速卡具备DRAM的耐用性,可提升关键任务型应用的整体表现,消除系统中的性能瓶颈,而无需损失系统的可靠性或运行时间。该加速卡既可以作为直接映射到主机且具持久性的内存延展,为小型、随机访问的交易提供逾千万次的IOPS,也可以作为高效DMA交易的一个NVMe块设备,提供超百万次的随机4KB读IOPS。

PMC公司 Flashtec NVRAM闪存加速卡的小尺寸使之可以放置在任何服务器当中,只需一个半高的PCIe插槽即可提供高密度的机架级解决方案。其附带的NVMe驱动程序使整合轻松易行,而无需针对专有接口或应用而做定制化开发。设计中包含了一款超级电容模块,可以持续工作五年之久,无需任何维护或更换。较之于需要不间断电源(UPS)的解决方案,NV1600系列产品显著降低了拥有成本,同时,将UPS从系统中移除还释放了宝贵的机架空间。

IDC固态盘研究总监Jeff Janukowicz讲道“用于云计算和关键业务型应用的企业级数据中心需要高性能及快速的数据访问。像PMC公司推出的Flashtec闪存产品系列这样高性能、基于标准的解决方案的面世,进一步推动PCIe存储成为下一代数据中心的一项关键技术。我们预期NAND闪存产品在数据中心应用将高速增长,而PMC提供的企业级功能及极优异的性能表现使其处于有利的战略地位。”

基于标准的架构加快了PCIe连接的存储的部署

Flashtec NVRAM闪存加速卡产品系列基于PMC公司研发的NVMe闪存控制器,该控制器系列为存储重要数据提供了最优的容量、性能及可靠度。PMC公司推出的控制器可实现高达8TB的SSD存储容量,随机4KB读的IOPS可达875,000次,在容量及性能方面均为其他控制器的两倍。双端口的特性为企业级应用提供了高可用性、冗余度和持久的可靠性。PMC的NVMe控制器支持行业标准的NVMe协议和设备驱动,从而助力实现了云数据中心和企业内基于PCIe的SSD的广泛部署。除了支持PCIe 3.0主机接口以实现最大吞吐量,并满足多家NAND厂商的需求外,该控制器系列具有可编程的特性,使客户可以通过定制的固件来进行差异化设计,并实现不同的总拥有成本目标。

Flashtec NVRAM加速卡共有如下几种型号:


[责任编辑:朱朋博]
NAND闪存在70微秒内对数据请求作出响应,而相变内存只需要大约1微秒。
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