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标签:闪存 第78页

Intel美光25nm新工艺NAND闪存量产出货

Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示,采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货,相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。 Inte...

东芝发布新战略 欲开发SSD和HDD混合产品

东芝公司正在计划开发一个包含有NAND和传统磁盘的混合固态硬盘驱动器产品。 根据国外媒体报道,东芝在5月11日于日本发布了其NAND闪存战略。东芝表示:"硬盘和SSD的混合可以节省能源。相较HDD,混合式驱动器可以节约约百分之八十...

三星宣布30nm级工艺8Gb OneNAND闪存

三星电子宣布,已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。OneNAND 是一种高可靠性嵌入式存储技术,在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲,融合了NAND闪存的高存储...

NextIO与Fusion-io将合作生产5TB闪存SAN产品

NextIO与Fusion-io达成一项关于合作生产5TB闪存SAN产品的协议,双方合作生产的闪存SAN可以让连网服务器共享闪存存储设备。 NextIO最初是一家交换机厂商,它的交换机产品主要用来虚拟化PCIe连接,通过单一开关PCIe产品...

LSI通过1TB闪存达到百万次IOPS性能水平

LSI通过1TB希捷闪存取得100万次IOPS(每秒输入输出)性能,表明用户可以用更少的闪存获得更高的性能。 2008年9月,Fusion-io和IBM在IBM的Quicksilver项目上达到100万次IOPS的性能。该项目使用了41个i...

Texas Memory Systems发布10TB闪存阵列

在发布5TB,25万IOPS的RamSan-620一年之后,闪存记忆系统制造商Texas Memory Systems(TMS)带来了整体翻倍的后续产品,这一产品拥有10TB的容量和50万的持续IOPS。 新产品RamSan-630提供4G...

东芝战略性投资闪存供应商Violin Memory

东芝已经战略投资闪存产品供应商Violin Memory并与之签订了一份闪存芯片供货协议。 东芝此举是对三星收购Fusion-io以增强NAND芯片供应链作出的回应。 Fusion-io主要生产服务器内置与PCIe相连的闪存产品,而Viol...

SandForce或在为LSI/希捷新品提供控制器

此前我们报道过LSI/希捷推出的SSS6200 PCIe连接闪存卡( 《LSI联合希捷推出PCIe总线闪存Cache产品》 ),现在看来其使用了SandForce控制器。 这一产品于3月16日发布,其使用了希捷Pulsar SSD(固态硬盘...