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标签:闪存 第26页

集邦科技:明年NAND闪存价格将下跌35%

台湾媒体报道,集邦科技发布近日报告称,明年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元,同比上涨16%,但是其平均价格将同比下降35%。 集邦科技称,新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季...

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存储分析:NetApp FAS6240测试超越EMC

今年一月,EMC在一个CIFS(通用互联网文件系统)标杆测试上超越NetApp等对手。现在NetApp又扳回了劣势,在一个NFS(网络文件系统)标杆上超越EMC。 这两个标杆是SPECsfs2008文件访问标杆的CIFS版本和NFS版本。之...

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SanDisk:固态硬盘将在一两代内统治笔记本

西部数据称未见大规模需求,希捷更看好混合硬盘——两大传统硬盘厂商都对新兴的固态硬盘持保守态度,但是闪存厂商都已经等不及了,SanDisk就宣称固态硬盘在一两代的时间里就会统治笔记本市场,价格也会逐渐不是问题。 San...

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苹果效应再现 NAND闪存价格开始上涨

一度平静的闪存价格市场随着苹果MacBook Air新本的发布再次掀起波澜,存储芯片调研公司inSpectrum近日表示,配备高容量固态硬盘的苹果新本将刺激闪存市场,小幅度的需求上升已经出现,闪存价格也开始上升。不过inSpectrum同时...

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三星开始量产3bit 20nm 64GB NAND闪存

DOSTOR存储在线10月14日国际报道:在今年四月推出32GB 20nm产品后,三星最近宣布量产3bit 20nm 64GB NAND闪存,这加快了20nm设备64GB容量存储发展的步伐。苹果在其iOS设备中广泛采用了三星闪存,这导致人们...

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三星最新推出40nm SLC闪存3.5寸固态硬盘

三星日前宣布推出新款企业级3.5寸固态硬盘,采用SLC闪存颗粒,容量100GB或200GB。 该盘主要面向企业级存储系统用作系统盘,基于40nm制程SLC闪存,SATA 3Gbps接口。其连续读写性能为260MB/s读,245MB/s写,随...

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25nm闪存 Intel下一代固态硬盘规格揭秘

作为业内举足轻重的巨头,Intel即使在面对固态硬盘这样的新市场领域时也不失稳重。面对新产品、新技术频出的各路厂商,Intel依然在按部就班的实施着自己的既定计划。 按计划,第三代Intel X25-M系列消费级固态硬盘将于今年年底明年年初...

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旺宏宣布75nm NOR型闪存下季度开始量产

据台湾经济日报报道,旺宏昨日宣布,旗下NOR型闪存产品提前导入75纳米制程,开始送样国际WiMAX、数字机顶盒(STB)OEM大厂,第四季迈入量产。 近期NOR型闪存市场较上半年降温,旺宏导入75纳米制程后,有助提升竞争力,减少受到市场疲软...

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传Intel 25nm闪存固态硬盘延期至明年2月

Intel与美光合资公司出品的25nm工艺NAND闪存在今年5月就已经实现了量产。原本我们认为,Intel计划中在今年四季度推出采用该闪存的第三代固态硬盘产品已经足够稳健了。但根据欧洲媒体近日得到的消息,Intel近期又修改计划,将该系列固...

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Pliant今日正式推出企业级闪存硬盘产品

DOSTOR存储在线9月9日国际报道:主流企业级存储MLC闪存又有新品,今天Pliant推出其企业级闪存硬盘(EFD)产品。 Pliant在这个竞争激烈的行业中处于前列,专注于开发支持固态硬盘(SSD)的STEC,希望使硬盘驱动器替代存储阵...

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分析称闪存价格走低 固态硬盘迎普及契机

分析机构iSuppli日前公布报告称,NAND闪存价格将在今年年底回到每GB 1美元的关键点位,固态硬盘价格将随之下降,迎来挑战机械硬盘的新契机。 该报告预计,3-bit-per-cell(TLC)NAND闪存今年四季度的价格平均为每GB ...

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英特尔美光公布最新25nm 3-bit 闪存芯片

DOSTOR存储在线8月18日 编译:英特尔和美光公布了他们的3-bit MLC(多层单元)产品样片,透露出了英特尔企业级MLC闪存发展路线。 这两家公司都是应用25nm处理技术并且都是针对高速闪存卡市场。相比英特尔和美光64Gb MLC ...

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专家博客 企业级SSD的故障率真的高吗?

从SSD驱动器开始进入主流存储市场以来,关于SSD故障率的担忧,以及对于这一技术是否已经能够应用于企业级的关注就从来没有停止过。当然,对SSD关注最多的还是其写入次数。固态硬盘驱动器厂商都在竭尽全力,以确保如今市场上的固态硬盘驱动器在数据中...

再看Fusion-io VSL:面向程序员 将发布API

闪存是当前最火的一种存储技术,许多初创公司都想在这片市场上占得一席之地。为了摆脱原有的存储模式,Fusion-io上周发布了一款闪存优化的操作系统子系统ioMemory VSL。( 《Fusion-io发布闪存优化操作系统子系统VSL》 )...

闪存需求增长 英特尔与美光筹建新闪存工厂

根据国外媒体的报道,英特尔与美光科技公司将开始建设新的NAND闪存芯片制造工厂。 2011年初,东芝将在日本建成一个新的闪存工厂,这一项目将于本月启动。三星明年也会有新的韩国工厂上线。闪存工厂会耗费很多资金成本,制造商都不愿意在这方面进行投...

东芝20nm级NAND闪存新厂Fab 5开工建设

东芝公司今天宣布,位于日本三重县四日市的东芝NAND闪存晶圆厂新厂房Fab 5已经正式开工建设,预计2011年春竣工。东芝同时还宣布,与SandiDisk公司达成初步协议,将成立一个新的合资企业,专门运作Fab 5工厂。 由于新兴市场如智能...

TIMC组建联盟布局存储闪存技术 多厂商参与

据台湾媒体报道,台湾创新内存公司(TIMC)将联合茂德、晶豪科、翔准等公司,布局自有储存型闪存(NAND Flash)技术,而政府层面将给予40%的研发补贴。 此前TIMC规划以日本厂商尔必达为技术合作伙伴进行DRAM产业再造,此番调整该从...

Intel美光25nm新工艺NAND闪存量产出货

Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示,采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货,相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。 Inte...

东芝发布新战略 欲开发SSD和HDD混合产品

东芝公司正在计划开发一个包含有NAND和传统磁盘的混合固态硬盘驱动器产品。 根据国外媒体报道,东芝在5月11日于日本发布了其NAND闪存战略。东芝表示:"硬盘和SSD的混合可以节省能源。相较HDD,混合式驱动器可以节约约百分之八十...

三星宣布30nm级工艺8Gb OneNAND闪存

三星电子宣布,已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。OneNAND 是一种高可靠性嵌入式存储技术,在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲,融合了NAND闪存的高存储...

NextIO与Fusion-io将合作生产5TB闪存SAN产品

NextIO与Fusion-io达成一项关于合作生产5TB闪存SAN产品的协议,双方合作生产的闪存SAN可以让连网服务器共享闪存存储设备。 NextIO最初是一家交换机厂商,它的交换机产品主要用来虚拟化PCIe连接,通过单一开关PCIe产品...

LSI通过1TB闪存达到百万次IOPS性能水平

LSI通过1TB希捷闪存取得100万次IOPS(每秒输入输出)性能,表明用户可以用更少的闪存获得更高的性能。 2008年9月,Fusion-io和IBM在IBM的Quicksilver项目上达到100万次IOPS的性能。该项目使用了41个i...

Texas Memory Systems发布10TB闪存阵列

在发布5TB,25万IOPS的RamSan-620一年之后,闪存记忆系统制造商Texas Memory Systems(TMS)带来了整体翻倍的后续产品,这一产品拥有10TB的容量和50万的持续IOPS。 新产品RamSan-630提供4G...

东芝战略性投资闪存供应商Violin Memory

东芝已经战略投资闪存产品供应商Violin Memory并与之签订了一份闪存芯片供货协议。 东芝此举是对三星收购Fusion-io以增强NAND芯片供应链作出的回应。 Fusion-io主要生产服务器内置与PCIe相连的闪存产品,而Viol...

SandForce或在为LSI/希捷新品提供控制器

此前我们报道过LSI/希捷推出的SSS6200 PCIe连接闪存卡( 《LSI联合希捷推出PCIe总线闪存Cache产品》 ),现在看来其使用了SandForce控制器。 这一产品于3月16日发布,其使用了希捷Pulsar SSD(固态硬盘...