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标签:三星 第8页

呵护地球 三星原厂内存倡导绿色理念

世界地球日(World Earth Day,4月22日)即每年的4月22日,是一项世界性的环境保护活动,今年正好是第42个世界地球日。人类只有一个地球,因此从现在开始,做一个低碳达人吧! 作为低碳达人,在使用台式机或笔记本时应多多注意下这些...

官方新闻:希捷和三星宣布广泛战略结盟

希捷科技公司(NASDAQ:STX)与全球领先的数字消费电子与信息技术提供商三星电子日前联合宣布:两家公司已签订协议,双方将通过所有权、投资和关键技术结盟来扩展和巩固战略合作关系。协议主要内容包括:   • 希捷整合三星...

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三星宣布将硬盘业务13.75亿美元出售给希捷

据国外媒体报道,三星和希捷今天联合宣布进一步扩大“战略合作”。合作协议中最重要的部分当属三星将其硬盘部门出售给希捷,以此换取希捷的大量股份并加强双方在专利许可方面的合作。 此外,三星还将为希捷提供固态硬盘(SSD)、...

cuihaocuihao新闻

三星欲出售硬盘业务 估值10-15亿美元

据《华尔街日报》援引消息人士的话说,三星电子考虑出售亏损的硬盘业务,从而为新业务筹集资金。三星试图以15亿美元出售业务,但交易金额可能会低于10亿美元,消息人士说三星“努力摆脱”业务。最有可能的收购者是希捷。 本月初...

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三星电子预计第一季度营业利润同比下滑34%

三星电子估计,该公司今年第一季度的运营性利润将为2.9万亿韩元(约合27亿美元),低于分析师的平均预期。这是上月日本大地震之后,三星电子首次对业绩预告做出更新。 三星电子将是日本大地震后首家发布季度财报的全球性科技公司。外界担心,日本的地震...

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尔必达称日本地震不会导致供应链断裂

日本芯片制造商尔必达今天预计,日本地震及其引发的海啸不会导致该公司的产品供应中断。 尔必达是仅次三星和海力士的全球第三大DRAM芯片制造商,该公司表示,目前的零部件和原材料足以确保7月底前的持续产品供应。 尔必达还补充道,该公司正在寻找替代...

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三星内存进军中国市场之四大猜想

通过之前媒体曝光的三星内存谍照,我们可以发现三星即将发布的内存新品的蛛丝马迹。如果三星内存真的进军中国市场,相信将极大地影响内存市场,甚至产生"多米诺骨牌效应"。小编大胆地猜想一下,三星内存进军中国市场将对消费者、内存行...

PRAM技术商业化受阻 失去光环进退维谷

DOSTOR存储在线3月14日国际报道:相变存储(Phase-change memory,PCM)的地位似乎正在发生变化,以前它是一种发展前景光明的新生技术,现在马上要面临众多的替代技术。 相变存储是一种涉及到内存单元的硫族化物层的材料状态...

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三星否认展示4TB硬盘 但承认单碟1TB

昨日有消息称三星电子已经展示了全球第一款容量高达4TB的桌面硬盘,采用单碟1TB设计,不过还没等我们看到实物,三星就出面否认了。 三星德国的发言人Doerte Gensow出面澄清说:“三星从未在CeBIT展台上展示4TB硬盘。...

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单碟1TB!三星展示全球首款4TB硬盘

虽然CeBIT 2011展会已经结束,但因为展品实在众多,很多重量级的东西也被湮没起来,等待我们慢慢挖掘,比如直到今天我们才知道,三星电子已经悄然展示了全球第一款容量高达4TB的硬盘。 不仅总容量比现有顶级产品增加了三分之一,三星这款Spi...

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谍照曝光 三星内存即将进军中国市场

去年年底便有传闻,三星半导体业务或将全面进军中国市场。而在近日,小编惊悉,三星电子已为内存产品的上市做好准备。在小编的不懈努力下,终于从内部渠道获得了三星内存的谍照。 据内部人士透露,与此前市场中的三星内存不同,即将上市的产品是三星电子与三...

三星新型DRAM让智能机 平板机带宽翻三番

三星电子今天宣布了采用Wide I/O接口的新型移动DRAM内存芯片,可为智能手机、平板机带来数倍于当前的带宽,功耗则大为降低。 据三星解释,这种新的移动DRAM内存芯片基于50nm级别工艺制造,容量1Gb,每秒可传输12.8GB的数据,而...

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三星第四季度DRAM市场份额高达41.7%

DOSTOR存储在线2月18日国际报道:韩国电子巨头三星2010年第四季度DRAM收入高达36亿美元——占市场份额的41.7%。 随着2011年DRAM市场正在复苏,三星作为市场龙头,其收益将会更大。 根据市场研究公...

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三星继续统治DRAM市场 韩厂狂揽62%份额

存储芯片调研公司集邦科技日前发布了2010年四季度的全球DRAM营收报告,去年四季度DRAM市场营收86.4亿美元,相比三季度的107.8亿美元下降20%。芯片期货价环比下降40%,但产能增长16%。 集邦科技指出,厂商们在生产工艺上的升级...

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样品展示 三星完成史上第一条DDR4内存

三星电子今天宣布,已经完成了历史上第一款DDR4 DRAM规格内存条的开发,并采用30nm级工艺制造了首批样品。 时至今日,DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2...

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年末国际市场MLC NAND闪存价格保持平稳

12月中下旬,国际市场MLC NAND闪存合约价格始终保持平稳,主流的16Gb、32Gb颗粒价格在3 – 3.5美元以及4 – 5美元之间浮动。不过业内人士指出,由于东芝停电事故,以及平板机市场的影响,预计明年一季度...

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飞索状告三星闪存芯片专利侵权案败诉

路透社报道,针对飞索半导体此前对三星等公司提出的闪存芯片专利侵权案,美国国际贸易委员会ITC近日做出裁决,三星等并未对飞索半导体专利构成侵权。 飞索半导体在今年8月对三星提起两项专利侵权起诉,并要求ITC禁止相关侵权产品的销售,苹果、RIM...

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专注闪存 东芝系统芯片生产将外包三星

日经新闻报道,东芝计划将系统芯片生产外包三星,以集中资源发展存储芯片业务。 据悉该计划将从2011财年(开始于明年4月份)实施,虽然生产外包,但东芝仍会参与系统芯片的设计。 为了满足设备小型化和节能需求,东芝此前一直在提升手机、电视和汽车所...

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3D堆叠技术:三星发布绿色8GB DDR3内存

三星电子今天宣布推出全新8GB DDR3 RDIMM服务器用内存条,采用最先进的Green DDR3 DRAM颗粒,使用3D芯片堆叠技术“硅通孔”(TSV)打造而来,而且已经成功通过了主要客户的测试。 三星表示,借助...

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三星成三季度唯一营收增加的DRAM制造商

据国外媒体报道,尽管今年三季度全球DRAM市场或多或少仍然受到了全球经济不景气的影响,但韩国三星公司在当季不仅巩固了自己在DRAM制造行业的领先位置,其更是成为当季中唯一一家实现营收增加的DRAM制造商。 近日市场调查公司iSupply公布...

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三大芯片厂商合作开发10纳米级NAND技术

DOSTOR存储在线11月2日国际报道:英特尔、三星和东芝已经组成联盟,它们将联合开发10纳米级半导体产品,以生产容量更高的DRAM和闪存产品,比如400GB的闪存芯片和速度更快的处理器。 据国外媒体报道,三家厂商打算在不久之后组成联盟,它...

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Intel三星东芝三巨头开发10nm制程工艺

日经新闻报道,芯片制造业老大Intel将联手三星、东芝在2016年前将半导体制程工艺升级到近10nm级别。 三星和东芝目前也是世界前两大闪存芯片制造商,他们不久就会与Intel建立联盟,并邀请10家半导体材料和相关领域的的公司参与进来。 该...

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三星:内存芯片价格明年第二季度才会回涨

DRAM芯片价格近期是一路下滑,1Gb DDR3现货价昨天更是跌破了2美元大关。面对内存芯片市场萎靡态势,三星高层认为,这种局面恐怕直到明年二季度才能扭转。 三星芯片部门总裁权五铉表示:“内存芯片价格预计到明年二季度中期才会开始...

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三星硬盘全球出货量达1亿 将超越东芝

日前有业内消息来源透露,受益于在自有品牌笔记本电脑等IT产品领域采用自家硬盘产品的策略,韩国厂商三星电子的硬盘出货量已经出现了重大增长,并且有望于2010年下半年正式超越竞争对手东芝。东芝2009年是全球第四大硬盘制造商,其占据的市场份额为...

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三星开始量产3bit 20nm 64GB NAND闪存

DOSTOR存储在线10月14日国际报道:在今年四月推出32GB 20nm产品后,三星最近宣布量产3bit 20nm 64GB NAND闪存,这加快了20nm设备64GB容量存储发展的步伐。苹果在其iOS设备中广泛采用了三星闪存,这导致人们...

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价格再降 1Gb DDR3现货价跌破2美元

集邦科技的最新监测数据显示,1Gb DDR3芯片价格继续其下滑颓势。截止到昨天,1Gb DDR3芯片平均现货价格已经跌破了2美元大关收于1.99美元,同规格eTT芯片价格为1.74美元。 如果延续这样的下滑趋势,1Gb DDR3芯片价格到年...

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三星最新推出40nm SLC闪存3.5寸固态硬盘

三星日前宣布推出新款企业级3.5寸固态硬盘,采用SLC闪存颗粒,容量100GB或200GB。 该盘主要面向企业级存储系统用作系统盘,基于40nm制程SLC闪存,SATA 3Gbps接口。其连续读写性能为260MB/s读,245MB/s写,随...

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EMC企业级闪存驱动器应用三星NAND

DOSTOR存储在线10月8日国际报道:EMC在企业级闪存驱动器中使用三星NAND,三星继STEC之后成为EMC闪存驱动器的第一个二级来源。 传统上,像EMC这样的存储阵列厂商喜欢有第二个技术来源,比如磁盘驱动器,不喜欢依赖于单个厂商。因此...

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三星四季度量产36nm工艺2Gb DDR3芯片

据报道,三星计划在今年四季度开始量产基于36nm制程工艺的2Gb DDR3芯片,在工艺升级上继续遥遥领先日美竞争对手。随着量产时间表的设定,三星明年使用该工艺的DRAM出货量比重将超过50%。 和三星目前的主要46nm处理工艺相比,36nm...

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