标签：三星 第26页

继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。 海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的2...

lixuyang2010-02-11新闻

相变记忆体（PCM）–在英特尔、Numonyx和三星等公司推动下的一种新兴的非易失性技术–可以成为低成本、更可靠、更快的记忆体，并可以替代闪存记忆体。 一些行业内部人士甚至相信PCM有足够的潜力来加快数据存储市场从硬...

lixuyang2010-02-04技巧

据国外媒体今日报道，三星电子与内存芯片制造商Rambus在上周二共同表示，已就双方之间的所有争议达成共识，Rambus授权三星在所有半导体产品使用其专利。 根据协议，三星将首先支付Rambus 2亿美元，此后5年每个季度支付2500万美元。...

lixuyang2010-01-20新闻

三星近日对其产品容量进行了提升，moviNAND产品达到64GB，microSD（Secure Digital）产品的容量达到32GB。 MoviNAND是一个将MMC接口，闪存和控制器集成在一个BGA封装中的嵌入式NAND闪存产品。64G...

lixuyang2010-01-18新闻

三星最新推出一款64GB的MoviNAND产品和32GB的microSD产品。 MoviNAND是一款封装了一个MMC接口、闪存和控制器的内置NAND闪存产品。64GB的moviNAND厚度为1.4毫米，它是由16个32纳米32G 2位多级...

zhabin2010-01-15新闻

全球消费电子和信息技术领先厂商三星电子今日宣布推出外部硬盘驱动器新款G系列，该系列以绿色环保为其设计理念。新款G系列外部硬盘驱动器壮大了三星外部驱动器1.8英寸、2.5英寸和3.5英寸硬盘的产品组合阵容，专注于年轻人市场。是寻找高密度，高可...

lixuyang2010-01-11新闻

Fusion-io从NAND芯片领导厂商三星那里获得了现金投资，以加强现有的芯片供应关系。 Fusion-io制造PCIe连接的ioDrive，这是服务器内部的NAND固态存储模块，可作为固态硬盘（SSD）存储数据，或作为缓存来存储瞬时数据...

lixuyang2009-10-22新闻

全球领先的数字消费电子和信息技术厂商三星电子今天宣布将在11月份发布全新款的3.5英寸外部硬盘驱动，STORY Station的备用电池耗电量将在一瓦特以下。所降低的备用电池耗电量完全符合欧盟即将针对备用能源规范而颁布的能源消费产品（Ene...

cuihao2009-10-15新闻

三星表示，PCM（相变内存）所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式。 多年来，半导体厂商一直在致力研究PCM内存，不过，它一直处于试验阶段。PCM内存当中包含有类似玻璃的材料，当其中的原子重新排列，它的状态就会发生改变...

lixuyang2009-10-10技巧

三星电子股份有限公司，今天在台北六福皇宫酒店举办的第六届三星行动解决方案论坛中，正式宣布已开始量产512-Megabit (Mb)相位变化随机存取记忆体晶片(PRAM, phase change random access memory)。...

cuihao2009-09-24新闻