联和存储HBF™芯片为端侧AI万亿市场破局
11月6日,在2024-2025第八届IC独角兽颁奖仪式上,联和存储科技(江苏)有限公司(以下简称:联和存储)凭借其核心自研的“高带宽闪存芯片技术”成功入选,斩获殊荣。 联和存储作为中国存储芯片领域的破局者,正以自主创新为核心驱动力,以前瞻...
11月6日,在2024-2025第八届IC独角兽颁奖仪式上,联和存储科技(江苏)有限公司(以下简称:联和存储)凭借其核心自研的“高带宽闪存芯片技术”成功入选,斩获殊荣。 联和存储作为中国存储芯片领域的破局者,正以自主创新为核心驱动力,以前瞻...
2025年8月8日,闪迪公司正式宣布与SK海力士签署具有里程碑意义的谅解备忘录(Memorandum of Understanding,MOU),双方将携手制定高带宽闪存(High Bandwidth Flash,HBFTM)技术规范。这项...
闪迪(SanDisk)近日披露了三款即将推出的新SSD细节,并公布了高带宽闪存(High-Bandwidth Flash, HBF)技术规划,HBF是对标高带宽DRAM(HBM)的NAND解决方案。 分拆在即,闪迪需向投资者证明其业务稳固性...