标签：海力士

一直以来电脑硬盘容量往往是内存好几十，甚至好几百倍。如今主流的固态硬盘还是120-128G，而内存也出现单条128G了，SK海力士今天宣布，已经成功开发出全世界第一款容量高达128GB的新一代DDR4内存条。 该内存采用了海力士先进的8Gb...

朱 朋博2014-04-08技巧

谁认为三星是全球领先的闪存出货商的请举手?根据镁光副总裁的说法，他们公司才是NAND闪存行业最大的出货商，比三星和海力士都大。 镁光制造DRAM(动态随机存取记忆体)、NAND和NOR闪存芯片。镁光投资者关系副总裁KippBedard在Ra...

huanghui2013-03-20新闻

日前，美光25亿美元大手笔收购日本尔必达，而这次交易对之前市场占有率排名第四的美光来说，好处显而易见。通过收购尔必达，美光在全球DRAM市场中的份额已经从之前的第四一跃升至第二，并成功超越了韩国海力士。 IHS iSuppli的数据显示，2...

wangzhen2012-07-09新闻

混合存储立方体联盟(HMCC)今天宣布，ARM、惠普、海力士(SK Hynix)三家企业已经正式成为该组织的成员，将会大大推动HMC技术的标准化和普及。 HMCC组织由美光和三星联合发起，加盟成员还包括Altera、IBM、微软、Open-...

wangzhen2012-06-29新闻

今日世界第二大DRAM/NAND存储设备厂商SK Hynix(SK海力士)发布公告称，正式推出自有品牌的消费级SSD产品。 实际上海力士旗下的SSD在本月就已经在日本市场首先推出试水，首批只有一个型号——SH910系...

wangzhen2012-06-26新闻

著名外设厂商海盗船在Computex上展出的Neutron SSD由于独家采用了Link A Media Devices(以下简称LAMD)的主控也吸引了不少用户的眼球。不过今日之后海盗船“独家”的情况肯定会有所改变...

wangzhen2012-06-20新闻

目前有NAND闪存生产能力的厂商无外乎美光、Intel、东芝、三星以及Hynix(海力士)，在这其中前四者早已进入了SSD市场，只有海力士还迟迟不肯有动作。今天的四月份，海力士在IDF 2012上展示了旗下的首款SSD产品，但当时也没有给出...

wangzhen2012-06-18技巧

据Korea Times报道，SK海力士已与IBM联手，将一起打造一款RAM相变存储器。这款被称为PcRAM或是PCM的存储器可能就是SK海力士公司要推出的下一代非易失性存储器。可以看出，SK希望能在DRAM和像MRAM,STT-MRAM和...

wangzhen2012-06-14新闻

三星电子抢先行动整整三个月之后，另一家半导体大厂海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4内存颗粒、内存条开发完毕。 海力士已经开发出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM内存颗粒，以及容量2GB的DDR...

liukai2011-04-06新闻

日本芯片制造商尔必达今天预计，日本地震及其引发的海啸不会导致该公司的产品供应中断。 尔必达是仅次三星和海力士的全球第三大DRAM芯片制造商，该公司表示，目前的零部件和原材料足以确保7月底前的持续产品供应。 尔必达还补充道，该公司正在寻找替代...

liukai2011-03-29新闻

DOSTOR存储在线2月18日国际报道：韩国电子巨头三星2010年第四季度DRAM收入高达36亿美元——占市场份额的41.7%。 随着2011年DRAM市场正在复苏，三星作为市场龙头，其收益将会更大。 根据市场研究公...

liukai2011-02-18新闻

彭博社报道，受到内存芯片价格下降、诉讼赔偿的双重影响，海力士去年四季度利润大跌83%。 海力士四季度盈利1101亿韩元（9900万美元），与去年同期的6568亿韩元相比下降83%，该数字也低于彭博社8位分析师的2290亿韩元的平均预期。 内...

liukai2011-01-27新闻

DOSTOR存储在线9月2日国际报道：惠普打算携手海力士，将Memristor技术从研发阶段推向实际生产阶段。 据说被确定为第四项基本电路元素的Memristor可以以统一存储的形式替代闪存、DRAM甚至硬盘。它也许可以执行各种逻辑功能。M...

liukai2010-09-02新闻

据路透社报道，全球第二大DRAM芯片大厂海力士今天表示，市场对内存芯片需求远超出先前预期，芯片供应仍然吃紧，而且这种局面还将持续到第二季度。 在市场调研公司Gartner昨天发布的全球十大芯片制造商中，海力士从之前的第九跃居到第七，DRAM...

lixuyang2010-03-31新闻

继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。 海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的2...

lixuyang2010-02-11新闻

海力士公司日前宣布，其使用40nm工艺制造的2Gb容量DDR3 DRAM颗粒和相关内存条产品已经获得了Intel认证。 此次或认证的产品包括2Gb DDR3 SDRAM颗粒，4GB DDR3 SODIMM笔记本内存条和2GB DDR3 UD...

lixuyang2009-11-23新闻