朱朋博的文章

三星量产业界首款256Gb 3D闪存未来将进军企业级市场

2015年8月11日消息：三星今天宣布开始正式量产业界首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。新品将引出TB级SSD 与容量为128Gb的传统NAND相比，三星电子此次量产的新一代...

编者按：2015年8月5日中国闪存峰会下午的PCIe分论坛上，来自PMC的首席架构师张冬分享了名为“浅谈”闪存控制器架构的主题演讲，以下内容整理自张冬（冬瓜哥）本人的公众账号“大话存储”： S...

摆在大家面前的形势已经很明朗了，如果Vmware不能分离出EMC联邦，而联邦在某种程度上因为投资商必须要实现价值提升，然后发现股票价格高到足以付清Elliott Management，那么联邦则面临购买Vmware剩余股份或被白衣骑士收购/...

2015年8月5日–闪迪今日发布了256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48层3D NAND芯片，并携手其合作伙伴东芝公司在日本四日市启动3D NAND试产线。 SanDisk闪迪公司执行副总裁、主管存储技术的Siv...

2015年8月5日，由DOIT传媒和存储在线联合主办的2015中国闪存峰会在北京盛大开幕。本次峰会以“闪存加速数据经济变革——颠覆方式和速度”为主题，超过 500位各行业用户代表，数十位顶级学...

2015年8月5日，一年一度的中国闪存峰会在北京开幕。专注固态存储产品及解决方案的Memblaze现身大会，与众多到场嘉宾就闪存技术及生态做了全面的交流。 Memblaze联合创始人唐志波受邀参加了大会圆桌对话《构建以数据驱动的新IT环境》...

当你跟别人聊存储的时候，如果不聊闪存，许多人难免会用怪异的眼神看你。存储圈的风向看闪存，闪存的风向看闪存峰会，中国闪存峰会即将于下周三(8 月5号)在北京亮马河饭店举行，随后美国的FlashMemory Summit将于8月11号在美国举行...

英特尔和镁光本周联合发布了全新类别的存储形式，比NAND闪存快一千倍，比NAND闪存耐用性高一千倍!继3D NAND以来，又一个闪存介质的创新。一千倍的耐用性意味着一百万次的读写次数，新存储介质在寿命上有重大突破。现在用的NAND闪存读...