存储在线北京时间3月2日，英特尔正式向市场上发售新一代消费级SSD 670p，采用的是新一代的144层的QLC NAND SSD。
与660p相比，670p在性能，耐久性，容量和功耗方面都有提升，部分表现相比TLC差距缩小，少部分场景甚至比还要好，英特尔的一顿操作让人不得不对QLC刮目相看。
简单回顾一下英特尔QLC和QLC SSD的历史
英特尔于2016年开始研究第一代QLC NAND，当时仅为32层，很快在2017年就推出了64层QLC。
2018年，英特尔发布第一款消费级QLC SSD 660p，它基于64层的QLC NAND ，主要是以大容量著称。
2019年，英特尔又发布了采用96层QLC的665p，虽然性能和耐久性都有所提升，但英特尔没有给665p太多的表现机会，据说现在已经停产，一直以来，660p似乎更常见一些。
而在144层的QLC产品中，第一款是企业级的SSD，直到2021年三月，英特尔才推出了消费级144层 QLC SSD新品670p。
QLC性能不行？670p的性能还挺高的
尽管还是QLC的介质，但与此前的660p相比性能有很大提升，顺序读写速度最高分别能达到3500MB/s和2700MB/s，性能表现在PCIe 3.0SSD中，属于领先者，与隔壁三星的980EVO Pro相比顺序（标称也是3500MB/s）读写性能一点不逊色。
QLC不靠谱？670p耐久性大大提升
670p的外形尺寸是最常见的2280规格，有512G，1TB和2TB三个版本，质保五年，512GB版本的写入耐久性相比660p提升了85%，能达到185TBW，1TB的翻番到370TBW，2TB就是740TBW，换算成DWPD的话是0.2，常见的TLC所能达到的DWPD也就0.3。
几个场景上的优化
作为一款用于笔记本电脑和台式机上的SSD，适用于内容创作生产力和游戏场景，670p主要做了这几方面的优化：
1，真实场景中的低队列深度性能优化
英特尔面向实际应用场景做的最大优化是在QD1的性能表现，在QD为1的时候，4K随机度写分别能达到2万和5.2万IOPS。
英特尔统计了个人电脑用户使用时的存储状态，发现90%到95%的处于低队列深度1或2的状态，也就是说，QD64这种数字的实际意义非常有限，低队列深度下的性能表现更接近用户最真实的体验。
英特尔实测后的性能发现，670p在低队列深度下的表现相对于660p有了巨大提升，在大部分场景中，都高于同类QLC SSD的表现，在一些测试场景中的表现，甚至比TLC NAND还要好。
2，真实场景中的混合负载上的性能优化
在实际应用中，混合负载更能反映用户的真实体验，很少有场景说是只写不读或者只读不写，英特尔给出了670p在不同读写比例下，同时在低队列深度下的性能测试表现，670p的优势更明显。
3，功耗的优化
与660p相比，670p的闲时功耗降到了25毫瓦，而低功耗L1.2深度睡眠次状态已降至3毫瓦，这有助于延长移动平台的电池续航。
4，可用容量增多
为了避免缓存占用完之后的性能尴尬，会尽可能的用大一些的Cache，670p自带了少量的DRAM做Cache，同时也用SLC缓存，包括动态和静态两部分SLC。
英特尔用动态SLC缓存技术在写入数据量少的时候提供更多Cache来提升性能，在写入数据多的时候还可以腾出来更多存储容量，相对660p来说，670p的用户实际可用容量也有了相应提升。