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变化 | 美光(Micron)更新DRAM技术路线图

美光将其DRAM技术路线图从三个单元缩小(发展)阶段更新为四个阶段,让每个晶圆能有更大的DRAM容量,并降低每GB容量成本。

美光打算通过以下步骤来逐步缩小单元或工艺节点尺寸,从20nm节点工艺缩减到10nm(19nm-10nm范围)节点工艺尺寸:

1Xnm –(c19-17nm)较早的DRAM技术工艺处理节点大小;

1Ynm –(c16-14nm)现在主流的DRAM比特位生产技术;

1Znm –(c13-11mn)2020年第三季度美光DRAM比特位产量占15%;

1αnm工艺节点– 2021年上半年量产;

1βnm工艺节点– 早期开发阶段;

1ɣnm工艺节点– 早期工艺集成;

1δnm工艺节点– 寻找目标,可能需要EUV(极紫外光刻)技术;

11δ节点大小是美光DRAM技术路线图中的新增条目。目前还没有看到低于1Znm的指示性工艺节点尺寸。

美光表示,随着从1Xnm到1Ynm和1Znm的转变,比特位密度的增速减慢。但是,美光从1Znm到1αnm工艺节点尺寸提升了40%的增长率。

富国银行分析师Aaron Rakers指出,美光在1Znm DRAM生产中占据有利地位。引用DRAMeXchange数据,预计美光在2020年第三季度的1Znm产量占其DRAM比特位产量的15%,而三星和SK海力士产量占比则分别为6%和0。

在其他条件相同的情况下,1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm节点成本。

极紫光刻机的应用加速工艺进程

美光采用深紫外线(DUV)多图案光刻技术在晶圆上设计DRAM单元芯片的细节。随着工艺节点尺寸水平缩小到10nm以下,光束的波长成为一个限制。

荷兰ASML公司是芯片行业主流光刻机供应商,已经研发了可发出较小波长光的EUV(极端紫外线)扫描仪。这项技术可在晶圆上蚀刻较窄的线条,因此可实现更小的工艺尺寸,即晶圆上的DRAM裸片数量更多,因此每个晶圆的容量会更高,每GB容量成本也会更低。但资本开支巨大,目前ASML公司每年仅生产30台EUV光刻机,这些光刻机重达180吨,每台成本1.2亿美元。

三星在1Znm工艺节点中使用了EUV,SK海力士计划使用EUV技术批量生产1αnm DRAM和1βnm DRAM。美光认为EUV到2023年甚至更晚才具有成本竞争力,也就是1δnm工艺节点才是市场决胜的关键。

另外,美光的财务似乎也缓过来了,近期把截至12月3日的第一季度营收预期,从50-54亿美元上调至57亿-57.5亿美元。

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