存储在线
钱钟书先生将婚姻比喻为围城：城外的人想进去，城里的人想出来。有趣的是，在半导体行业，以紫光为代表中国力量在疯狂收购国外企业，但与此同时，英特尔却在联合清华大学、澜起科技，研发融合可重构计算的新一代通用处理器，正在上演一场另类围城。
紫光入股Lattice
据《华尔街日报》报道，4月15日，清华紫光集团在周三向美国当局提交了一份监管文件，已经通过在公开市场上购买股票的方式积累了Lattice半导体公司 6%股份，而Lattice是一家总部设在俄勒冈州波特兰的一家芯片生产商，其主要业务是生产低能耗可编程微处理器。
有趣的是1月21日，清华大学、英特尔公司和澜起科技联手研发融合可重构计算和英特尔x86架构技术的新型通用处理器，这里所说的可重构计算实际上就是所谓低能耗可编程微处理器，也就是FPGA。4月12日，融合了澜起科技混合安全双列直插式内存模组（HSDIMM）、清华大学的可重构技术处理器（RCP）模块，以及英特尔的高性能至强处理器的新一代数据中心处理器平台正式对外发布，新的处理器平台对外命名为“津逮”，首款产品有望于2017年底、2018年初就绪，为此推动“津逮”，三方还发起成立了“子晋联盟”。
从入股Lattice，到发布“津逮”，紫光、英特尔的目的未必完全相同。尽管紫光对Lattice的投资仅为4160万美元，但外电认为显示了中国对半导体制造技术的兴趣。外电认为中国正寻求建立起一个具有较高竞争力的芯片行业，为此最多的资金多达1万亿元人民币（约合1540亿美元）。
发力大存储制造
长久以来，中国半导体制造产业长期落后，与国外的差距至少一代半。半导体制造所面临的差距，也制约了国产IT设备的自主可控的能力。随着中国经济的发展，实力的增强，实现半导体制造上的“弯道超车”，就成为一种主要的诉求。
3月28日，总投资达240亿美元（约合1600亿元人民币）、占地约2500亩的武汉新芯存储器基地开工建设，该基地主要生产3D NAND Flash芯片和DRAM芯片；建成后产能预计将达到30万片每月，希望可以填补我国在该制造领域的空白。“再也不能错过3D NAND技术的发展机遇了。”武汉新芯执行副总裁商务长陈少民说。
所谓过3D NAND技术，也被国内政府行业领导称为“大存储产业”。从技术上来说，3D NAND属于新兴存储介质，用于替代传统的磁盘的磁介质，代表着存储产业新一轮革命。就制造技术而言，工艺技术在某种程度上领先处理器。以最新发布英特尔E5 V4至强处理器为例，采用14nm工艺制造。而这样的技术，早已经用于生产NAND闪存芯片了。
如今，CPU制造受到工艺技术“天花板”的制约，发展速度减缓，最近英特尔宣布延缓沿用多年的“Tick-Tock”钟摆战略，推出了新的“制程-架构-优化”（PAO）三步走战略。同样的，以2D MLC为核心的企业级NAND也面临新的问题。
就像多核处理器一样，NAND开始从2D向3D发展，从平面设计向立体空间发展。随之而来的将是更大的容量，更低的成本。而成本正是制约闪存替代磁盘的关键。
与2D相比，3D制造不追求更高的制程技术，倾向采用上一代制程技术，对于国产半导体来说，似乎从中看到了希望的曙光，无论如何，客观上提供了可能。但不要丝毫看低其中的难度，工艺技术有所降低，但设计的复杂度，同样不能够忽视。
4月1日，英特尔E5 v4处理器发布的同时，英特尔同时发布了P3320/P3520，以及D3700/D3600两款固态硬盘，其中，P3320/P3520就是采用了3D TLC技术制造。没错，是3D TLC，至于为什么不是3D MLC，其中的缘由，我们也在分析和学习中。总之，一句话，3D NAND时代，大存储产业的时代到来了。
小结
不论是走出去，还是请进来；加速赶超也好，弯道超车也罢。这个时代前所未有。路漫漫其修远兮，吾将上下而求索，期待以紫光、新芯为代表的中国力量有 更加精彩的表现。