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三星品牌存储在中国的这五年

3月17日,三星品牌存储在中国五周年纪念日,五年前,带着令人印象深刻的470系列固态盘,三星品牌存储在中国市场上发力,五周年来临之际,三星品牌存储回顾了三星品牌存储五年的成长、五年的辉煌,也发表了对未来的展望。

三星在中国的这五年

记得在五年前传来三星出售磁盘业务的消息,从此集中精力在更擅长的闪存存储领域,过去这几年来闪存飞速崛起,闪存的价格可靠性,应用成熟度迅速提高。一方面智能移动设备大潮兴起,一方面闪存开始大规模进入企业级应用,进入数据中心应用,存储界围绕闪存的投资和创业越来越多,如此看来三星五年前就开始的转型比较有先见之明。

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据贝叶斯统计,在2011-2015年里,存储卡市场规模进一步扩大,2015年三星存储占据了存储卡市场18%的份额,位居前列;SSD市场在2015年较去年有一倍的增加,而三星SSD则占据了23%的份额,占据整个SSD市场第一的位置。

三星品牌存储在中国的这五年,一个最大的关键词就是西安半导体工厂,2012年有消息称三星在中国投巨资建厂,2013年有消息称三星投资五亿美金在中国西安建厂,2015年,三星电子西安半导体工厂完成了封装测试生产线竣工投运,封装测试生产线竣工量产,此举标志着三星电子半导体生产领域全业态产业链在国内正式形成,三星存储产品从材料,颗粒、芯片、封装全部在这里完成。

据了解,今年1-8月份,三星电子西安半导体工厂已累计实现产值115.09亿元,突破百亿元大关,使中国成为继美国、韩国之后的又一个全球半导体产业基地。

三星闪存脱颖而出的关键——V-NAND技术

2013年开始,三星V-NAND技术开始见诸报端,2014年开始进入量产,三星开创了新的技术范畴,如今三星在该领域造诣颇深。什么是V-NAND技术呢?

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三星V-NAND闪存采用垂直单元结构,不仅突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性,更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。V-NAND技术增强了闪存的耐用性、高性能和高能效,提升了固态硬盘市场的平均容量。

该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式,在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元,使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计,我们可以通俗的理解成,在单位空间内,晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的,就好比在一块土地上盖房子,如果是采用平房结构,那么就会降低土地的利用率,要是采用楼房的形式,就会大大提升单位面积的利用率。

V-NAND技术广泛应用于三星的存储产品

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在消费级SSD领域,全新的950 PRO固态硬盘V-NAND 3D垂直闪存技术,并在消费级SSD中加入了NVMe主控,950 PRO采用PCI-e x4 3.0接口,512GB的连续读写速度可达2500/1500MB/s,随机读写可达300000/110000 IOPS。

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850PRO是世界第一款V-NAND产品,如今的850PRO、850EVO系列已经升级使用第三代 V-NAND技术,从32层升级到48层堆栈技术,单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比,第三代V-NAND不仅容量翻倍,功耗也有30%下降,在能效、速度、容量上都有显著提升。

闪存在企业级应用越来越多,三星的企业级闪存产品SM/PM 863也采用了V-NAND技术,2.5寸盘最多可容纳3.84 TB。在混合工作负载下有很高的随机IOPS、较低的延迟、更高的可靠性以及降低总体拥有成本 (TCO),适用于内容分发网络 (CDN)、流媒体处理或 Web 服务器。

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T3移动硬盘

在移动固态硬盘方面,三星存储新推出了T3,手掌大小的TB级存储容量移动固态硬盘。T3采用三星专有的垂直V-NAND技术和Turbo Write(非三星独有,但经过三星改良的写入加速)技术,保证了产品的先进性能,适用于普通消费者、内容创作者、商务人士以及IT专业人员。

在存储卡产品端,目前包含PRO Plus, PRO, EVO Plus 和 EVO 几大系列,存储卡产品在市场上反响不错,其中,PRO Plus存储卡,最高读取速度可达95MB/s ,最高写入速度达到90 MB/s。

在U盘产品方面,三星存储推出了全新的USB 3.0U盘,Bar、FIT和DUO。该系列U盘纤巧、精致,具备三个符合人体工程学设计的因素,而且每个U盘都采用强大的三星NAND闪存技术,可提供高达130MB/s的顺序读取速度。

渠道策略概况

2015年,三星存储在顺应市场规律与消费需求变化的前提下,对渠道体系进一步完善,在加强现有渠道合作的基础上,重点发力电商渠道,三星存储与电商渠道的深入合作。2016年,三星存储将持续加大与电商渠道的合作。

2016年,三星品牌存储将更加一如既往的加大技术研发力度,推动产品的创新。

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