东芝和Hynix未雨绸缪 研发新一代MRAM产品

今天,东芝和海力士(Hynix)宣布一条划时代的信息:正式在MRAM(Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory,自旋扭矩转换磁性抵抗型随机存储器)技术领域进行合作。

MRAM打破现在的DRAM存储介质,通过磁致电阻的变化来表示0和1,这是新一代存储数据的不挥发性内存介质。在性能方面,比起DRAM,具有省电、使用寿命长、存储密度大和速度快等特点,同时在断电后不会丢失任何数据。

IBM,TDK和东芝公司在存储介质领域一直扮演先行者的角色,这次的合作,东芝和海力士可谓是在半导体方面的未雨绸缪,及早开展了新一代存储介质的行动。

此次合作,将两家公司的研究人员集中在Hynix设在韩国利川的研究部门,共同开发MRAM,加速实现MRAM技术产品化的目标。

最初的研究方向为将NAND闪存和MRAM组成混合存储系统,开发NAND相关新的应用。逐步实现在硬盘和PC内存方面应用MRAM技术,以及研发相应的产品。

这两家公司虽然没有透露具体的产品路线图,但已在产品制造等方面达成合作协议。

东芝和海力士宣布合作开发和制造MRAM产品

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