名词解释:MRAM

    (Magnetic Random Access Memory)是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而 “随机存取”是指中央处理器读取资料时,不一定要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。 MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁性的方向为依据,存储为 0或 1。它存储的数据具有永久性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。它的速度与我们 PC所使用的内存相比更接近使用 GMR技术的,一般都有 25至 100n s,它拥有静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。


    MRAM是在 80年代初首次提出的。在 1994年,美国 Honeywe ll公司研发了一种使用巨磁阻(Giant Magneto Resistive, GMR)薄膜技术的 MRAM,并投入了生产。不过,由于它的读取写入时间过长并且集成度低,所以应用只局限于太空和军事领域。近年来, MRAM再度发展起来,并以取代 DRAM装置为目标。


    与现有的快闪内存(FLASH)、静态随机存取内存(SRAM)、动态随机存取内存(DRAM)相比, MRAM性能都是非常优秀的。


    根据美国专业半导体研究机构 EDN分析,如将 MRAM与 DRAM、 SRAM、 FLASH等内存做比较,在“非挥发性”特色上,目前仅有 MRAM及 FLASH具此功能;而在“随机存取”功能上,则 FLASH欠缺此项功能,仅 MRAM、DRAM、SRAM具备随机存取优点。


    就“读取速度”而言, MRAM及 SRAM的速度最快,同为 25~100n s,不过, MRAM仍比 SRAM快; DRAM则为 50~100n s,属于中级速度;相较之下, FLASH的速度最慢。


    在写入次数上, MRAM、 DRAM以及 SRAM则都属同一等级,约可写入无限次的记忆,而 FLASH则只约可写入106次。至于“芯片面积”的比较, MRAM与 FLASH同属小规格的芯片,所占空间最小; DRAM的芯片面积则是属于中等规格,SRAM更是属于大面积规格的芯片,其所占的空间最大。


    在嵌入式设计规格方面,DRAM、SRAM、FLASH同属良率低、须增加芯片面积设计规格;而 MRAM则是拥有性能高、不须增加芯片面积的特殊设计。


    最后在耗电量相比较,只有MRAM以及 SRAM拥有低耗电的优点, FLASH则是属于中级的耗电需求,至于 DRAM更是具有高耗电量的缺点。

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