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芯片行业中立分析师就3D NAND相关问题答记者问

2014年6月11日存储在线编译:芯片行业分析专家Jim Handy就3D NAND芯片的许多相关问题做了个客观公正的解读。

记者:在3D NAND中是否有采用过硅孔技术(TSVs-一项通过堆叠芯片的垂直电连接技术)?如果没有,为什么没有?

Jim Handy:3D NAND中没有采用过硅孔技术,因为这根本就没必要。过硅孔技术是用来连接多个芯片的技术,3D NAND只是一个单独的芯片。

记者:3D NAND有采用平面单元堆叠技术吗?

Jim Handy: 3D NAND使用内置横向单元技术。这跟平面单元技术有很大不同。如果你把它称作“横向”NAND而不是三维NAND会帮助你更好的理解它。

记者:平面NAND和3D NAND当中使用的闪存单元的几何形状有什么明显区别?3D NAND技术对光刻技术有什么影响?

Jim Handy: 3D NAND所采用的单元有环状单元和又扁又方的平面单元两种。很难在尺寸上作比较,因为这两者完全不一样。因为3D NAND不是采用光刻密集制程,所以厂商普遍采用相对轻松的40-50纳米制程,而主要花心思在多层上下功夫。

Jim Handy:三星宣称在技术上可以达到更高的可靠性,但是目前还没有出台相关技术标准来支持。在去年8月份有一篇文章中提到“三星正在搞3D NAND闪存芯片,你猜一下它会有怎样的技术突破”,我之前猜测是,在一个收费噱头之后会带来更低的运行功耗提高耐久度,那可是会带来两大好处:更低的功耗和更长的寿命。不过我还是不太看好它。

我们可以看到分析师的观点还是比较倾向于拿实际产品来说话。“除了三星之外我没找到看见哪家在搞第一代3D V-NAND,更有趣的是,我发现三星正在搞第二代的3D V-NAND”。

非常感谢Jim接受我们的采访。TSVs(过硅孔)技术说的是芯片间链接,单独的芯片根本用不到,我们先记住这点吧。

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