IBM与德国内存制造商Infineon本周发布了“磁性内存”（magnetic-memory ）芯片的16MB原型，并希望建立新的内存标准。
  
    这两家公司在周三于夏威夷举行的“大规模积体电路大会”（Very Large Scale Integration Circuits Symposium ）上展示了MRAM，或者全名为“磁性随机存取内存”（magnetic random access memory ）的内存芯片。和现有主流电脑内存不一样的是，MRAM是以磁性原理，而不是充电原理来储存信息。
  
    支持这项技术的人认为，MRAM可能大幅改进内存技术。和快闪内存（flash memory）一样的，MRAM可以在电脑关机之后继续保留住信息。同时其信息的撷取时间也很快，理论上可以永久保存。
  
    许多人认为，由于技术的复杂以及要遵照莫尔定律的速度来改进当今内存的成本过高，因此，内存，特别是快闪式内存，在未来十年左右将进行一场重大的架构转变。简单来，就是成本太高，内存芯片不容易缩小，以及晶体管不易增加的问题。（文 / ZDNET China）