奇梦达与尔必达进行合作联手开发4F² DRAM Cell
DoSTOR ◎ 2008-04-25 存储在线
导读：奇梦达公司 (NYSE:QI) 与尔必达公司 (Tokyo SE: 6665) 今天宣布签订共同开发技术合作意向书，将联手开发新一代的内存芯片(DRAM)。在此项合作计划，奇梦达将提供其创新Buried Wordline 的关键技术，尔必达则将提供其先进的堆栈技术。
DoSTOR存储在线 4月25日报道--两大全球领先的内存供货商奇梦达公司 (NYSE:QI) 与尔必达公司 (Tokyo SE: 6665) 今天宣布签订共同开发技术合作意向书，将联手开发新一代的内存芯片(DRAM)。在此项合作计划，奇梦达将提供其创新Buried Wordline 的关键技术，尔必达则将提供其先进的堆栈技术。此项策略技术合作将可结合两家公司的力量，加速在DRAM 4F² cell尺寸产品蓝图的发展。 两家公司计划将在2010 年推出共同开发达到40纳米次代技术的创新4F² cell 概念，并将在未来进一步推展至30纳米次代技术。
奇梦达公司总裁即首席执行官罗建华(Kin Wah Loh)表示："与尔必达的策略合作是对我们创新Buried Wordline 技术的最大肯定，奇梦达希望藉由此合作关系加速小尺寸4F² cell的推出。此项技术合作为我们两大 DRAM 技术领导者创造了绝佳的机会，在研发与未来共同量产的资源上达到更好的经济规模。"
尔必达社长即首席执行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)表示："我们在研发上不断的努力，使公司能够在DRAM技术上保持领先。在目前艰难又高度竞争的市场环境下，更快及更有效能的研发新技术日趋重要。我们相信此次与奇梦达共同发展的合作，将加速与强化公司在技术上的优势，带领我们迈向DRAM市场中的领先地位。"
两家公司计划共同开发技术平台并设计规范，以促成产品的交换以及合资生产的可行性。双方也确定了在各自的日本广岛和德国的德勒斯登厂，密切合作研发计划，包括双方工程师的互换交流。此外，双方也同意在直通硅晶穿孔技术(Through Silicon Via)及未来内存的领域中，寻求共同发展的机会。
继今日的合作意向书后，奇梦达及尔必达预计于适当的时间内，完成相关协商及确认合约细节。
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