Rambus:完善产品线,新高速内存明年上市

◎ 2003-07-14 存储在线

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关键词:Rambus

    据ZDNET China报道,Rambus公司和其生产伙伴上周四宣布新高速内存将于明年面世。

    XDR DRAM(正式代号“黄石”)技术将以3.2GHz 速度传输数据,而未来更将提高至 6.4GHz,这大大超过现有的内存传输速度。XDR DRAM内存将由东芝与Elpida公司进行生产,它每秒可以传输100 GB的数据。

    下一代的索尼PlayStation游戏机可望最先使用这种内存。索尼已经透露,它将在Cell 处理器中集成两个XDR DRAM内存。

    东芝与Elpida已经宣布将于2004年正式生产这种新式内存,批量生产将于2005年开始。

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