Rambus：完善产品线，新高速内存明年上市
◎ 2003-07-14 存储在线
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据ZDNET China报道，Rambus公司和其生产伙伴上周四宣布新高速内存将于明年面世。
XDR DRAM（正式代号“黄石”）技术将以3.2GHz 速度传输数据，而未来更将提高至 6.4GHz，这大大超过现有的内存传输速度。XDR DRAM内存将由东芝与Elpida公司进行生产，它每秒可以传输100 GB的数据。
下一代的索尼PlayStation游戏机可望最先使用这种内存。索尼已经透露，它将在Cell 处理器中集成两个XDR DRAM内存。
东芝与Elpida已经宣布将于2004年正式生产这种新式内存，批量生产将于2005年开始。
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