英飞凌和美光制定超高速DDR SDRAM内存新规格
◎ 2003-05-14 存储在线
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关键词：Micron
德国英飞凌科技和美国美光科技日前完成了内存新规格“Reduced Latency DRAM II（RLDRAM II）”。这是两公司在当地时间5月12日分别于德国和美国宣布的。
RLDRAM II是指可进行高速随机存储的超高速DDR SDRAM内存，具有超级存储带宽和大存储容量等特点。将主要面向需要大容量内存的宽带通信等领域。内置8个内存组（Memory Bank），最大数据传输速度为28.8Gbps，最大工作频率为400MHz。随机周期时间（tRC）为20ns，“实现了更高速的传输性能”（两公司）。
此外，这种内存还具有ODT（片内终端元件设计）、复用/非复用地址指定、片上延时锁定电路（on-chip Delay Lock Loop）、通用I/O及独立I/O，以及可编程输出接口等功能。
“RLDRAM II内存是一项能够实现最大数据传输速度为10～40Gbps的新一代网络系统和高速以太网的先进技术。必将会得到业界的不断支持”（美光公司网络通信部门DRAM业务经理Deb Matus）。
RLDRAM II采用144引脚FBGA封装（11mm×18.5mm），规格包括8M×36位、16M×18位和32M×9位三种。另外，用户可从RLDRAM的站点下载288M位RLDRAM II内存数据表。
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