英特尔：年内上市512MB容量的5层闪存 明年推1GB款
◎ 2003-04-14 存储在线
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关键词：Intel
英特尔4月10日在东京举行的英特尔2003春季开发商论坛（IDF）上发表了面向手机的超薄、大容量闪存--“Intel Ultra-Thin Stacked Chip-Scale Packaging（CSP）”。该闪存层叠有5枚该公司开发的存储元件“1.8 Volt Intel StrataFlash Wireless Memory”，“可实现大容量、低耗电、减小封装面积”（英特尔）。
Intel Ultra-Thin Stacked CSP在厚约1mm的封装中可最多层叠5枚存储芯片。所支持的存储器种类包括总线宽度为16／32位的静态随机存储器（SRAM）及伪静态随机存取存储器（PSRAM）。另外，作为选项，还备有低功耗SDRAM。
英特尔闪存产品部副总经理Darin Billerbeck指出：“层叠封装已迅速成为手机市场的主流”。通过在Ultra-Thin Stacked CSP高密度层叠Intel StrataFlash Wireless Memory，无线终端制造商就可以减小闪存的封装面积，以便用于小型终端，同时还可以满足多功能手机的大容量需求”。（Darin Billerbeck）。
目前，该公司正在提供Intel Ultra-Thin Stacked CSP的工业样品，将于2003年第3季度开始批量生产。产品供货日期方面，计划2003年推出512MB款，2004年开始推出1GB款。价格因层叠的存储芯片容量及RAM类型而各异。
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