AMD：开发出新一代晶体管技术 性能提高20%
◎ 2003-04-10 存储在线
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关键词：AMD
今天，AMD 宣布开发出一种新的高性能晶体管。AMD称，其性能比目前公认的高性能 P 通道金属氧化半导体 (PMOS) 高 30%，AMD 计划在今年 6 月全面公布这项研究的实验结果。这种晶体管采用 AMD 专有的技术，其中包括一般称为单元全耗尽的绝缘硅 (SOI)。
在另一相关的研究中，AMD 的研发人员利用金属门成功开发一种受压 (strained) 硅片晶体管，据AMD介绍，其性能比传统的受压硅片晶体管高20 至 25%。
AMD 计算产品部副总裁兼首席技术官 Fred Weber 表示：“要有合适的工具及材料才会有好的设计。由于 AMD 一直致力研发这类先进的技术，因此终于成功开发各种先进功能及匠心独运的结构设计，满足客户的需求。”
AMD 将出席今年 6 月 11 日至 12 日在日本京都举行的超大规模集成电路研讨会 (VLSI Symposium)，并计划在会上首次公开发表这两项研究的结果。
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