HY:研发出使用0.10微米技术的512Mbit DDR内存

◎ 2002-11-11 存储在线

导读:0

关键词:HY

    据电子时报的报道,Hynix Semiconductor(现代半导体)宣布该公司成功地开发出使用0.10微米技术的512Mbit DDR内存。

发表评论

网友评论

暂时没有评论!
相关文章
今日排行
热点新闻
宽频互动
企业产品
商业资源
新供应商
专题列表