英飞凌开发90nm硬盘导引通道 07年初量产SoC
DoSTOR ◎ 2006-08-18 存储在线
导读： 存储在线 8月17日消息：德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）日前开发出了利用90nm工艺半导体技术制造的硬盘导引通道（Lead Channel）电路。目前已证实能够以超过2.6Gbps的速度传输数据。超过2.6Gbps的数据传输速度在基于90nm技术的导引通道电路中为业界最快，比采用上一代制造技术的电路大约快
存储在线 8月17日消息：德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）日前开发出了利用90nm工艺半导体技术制造的硬盘导引通道（Lead Channel）电路。目前已证实能够以超过2.6Gbps的速度传输数据。超过2.6Gbps的数据传输速度在基于90nm技术的导引通道电路中为业界最快，比采用上一代制造技术的电路大约快30％。此次导引通道电路的开发得到了美国日立全球存储技术公司（HGST）的协助。在HGST与英飞凌合作开发的引导通道电路中，此次的产品相当于第3代。
英飞凌将把此次发表的引导通道电路以嵌装在SoC（系统级芯片）中的方式供应。该SoC内置有硬盘控制所需的全部电路。比如，包括支持数据传输速度4.25Gbps的光纤通道接口、数据传输速度为6Gbps的SAS（Serial Attached SCSI）接口，以及串行ATA接口的物理层（PHY）电路等。SoC预计将在07年初之前开始量产。
英飞凌将把此次发表的引导通道电路以嵌装在SoC（系统级芯片）中的方式供应。该SoC内置有硬盘控制所需的全部电路。比如，包括支持数据传输速度4.25Gbps的光纤通道接口、数据传输速度为6Gbps的SAS（Serial Attached SCSI）接口，以及串行ATA接口的物理层（PHY）电路等。SoC预计将在07年初之前开始量产。
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