实现超1Tb/平方英寸硬盘新巨磁电阻效应确认

DoSTOR ◎ 2006-08-14 存储在线

导读： 存储在线 8月14日消息：日立公司设在英国的研究所--日立剑桥实验室（Hitachi Cambridge Laboratory）和欧洲的几所大学，日前证实了可通过磁力使电阻改变100倍以上的巨磁电阻效应“库仑阻塞各向异性巨磁电阻效应（CBAMR：Coulomb Blockade Anistropic Magneto-Resistance）”。该公司评价说：“这项成果

关键词：hdd

    存储在线 8月14日消息：日立公司设在英国的研究所--日立剑桥实验室（Hitachi Cambridge Laboratory）和欧洲的几所大学，日前证实了可通过磁力使电阻改变100倍以上的巨磁电阻效应“库仑阻塞各向异性巨磁电阻效应（CBAMR：Coulomb Blockade Anistropic Magneto-Resistance）”。该公司评价说：“这项成果开辟了通向表面记录密度超过1Tbit/英寸2的硬盘磁头的道路”。虽然是在－269℃下取得的试验成果，但模拟结果显示在常温下也有可能保持这一效应。

    利用磁力来改变电阻的巨磁电阻效应在此前的MR磁头中仅为几个百分点，在当前的主流产品――GMR磁头中为数十个百分点，在正在逐渐推广的TMR磁头中，原理实验得出的数值约为400%。此次确认的库仑阻塞效果将巨磁电阻效应一下提高了100倍。

    在实验中，用膜厚为5nm的强磁性材料Ga-Mn-As薄膜制作单一电子晶体管，确认了超过100倍的电阻变化。具体来讲，施加0.1T的磁场时电阻由约1MΩ变为约100MΩ。根据模拟试验，发现了超过100倍的电阻变化可以通过配合库仑阻塞效应和强磁性物体的磁各向异性而实现。

关闭窗口