看看这个，号称是PCIe闪存鞭挞者，它很适用于DIMM。Diablo声称，在收集无用单元方面，PCIe已经成为多级单元闪存的瓶颈。

Diablo向PCIe闪存用户和供应商发出了一条坏消息：“我们将向你介绍一种更优秀、更快速和运行更稳定的技术。”

Diablo为闪迪旗下的SMART Storage子公司提供内存通道存储（MCS）技术。它已经与超微（Supermicro）和IBM（很快就会是联想）达成了OEM协议，为其x86服务器提供ULLtraDIMM技术。

那些闪存芯片是作为DIMM供应的，DIMM与服务器内存总线相连。与PCIe连接的闪存卡相比，内存总线与CPU和DRAM之间的距离更近，延时更短。 

Diablo抨击PCIE闪存瓶颈问题

Diablo声称，测试表明，从PCIe带宽的角度来说，端到端企业存储性能与系统内部是否有瓶颈问题有很大关系。

它在白皮书中称，其中存在着一个关键的缺陷，它是一个普遍存在的瓶颈问题，限制了基于PCIe的存储设备的性能和可扩展性。

它还说，很多PCIe闪存卡利用一个单独的大ASIC来收集无用单元，通过同时删除很多闪存芯片上的数据来释放存储单元。在I/O负载很大的情况下，“大ASIC”这种解决方案就会引发瓶颈问题。这会造成延迟时间变长，因为控制器ASIC不能与增长的计算负载保持同步。

Diablo的白皮书中包括了单级单元和多级单元闪存在各种读写IO条件下的IOPS和延时对比图表，数据表明多级单元PCIe闪存卡的延时会随着IOPS性能的增长而显著增加。

文件指出：

与单级单元闪存相比，多级单元闪存的耐写性能相对更低，而且需要更多的纠错。因此损耗均衡（wear-levelling）、无用单元收集和纠错都变得更普遍和计算密集型。结果媒体管理就会在基于多级单元的解决方案中引发一个瓶颈问题。由于这个瓶颈，高速PCIe接口的参数可能就会误导客户。

由于这个原因，在上述图表中所举的70/30 读/写应用方案中，由于读和写是交错进行的，相关的瓶颈会影响到所有的请求提交。PCIe接口能力尚未确定，因为被用到的PCIe带宽只有一小部分（30%）。

与存在大ASIC瓶颈问题的PCIe闪存不同，MCS闪存DIMM存取数据是同时进行的。MCS DIMM在多内存控制器通道很流行，各种媒体管理任务分散在那些通道各处。

Diablo在下图中将它的FlashDIMM与PCIe多级单元闪存卡进行了对比：

Diablo MCS闪存与PCIe多级单元的对比

Diablo声称，MCS系统可以将读数据性能提升至远远高于PCIe固态硬盘的程度。…极大地提升写数据性能。…并且在混合负载对比中处于领先。

它没有透露PCIe闪存卡的制造商和供应商的名称，Diablo显然已经制定好营销计划。它的白皮书显然会招致PCIe闪存卡供应商的反驳。Fusion-io？闪迪？是的。就象闪迪的PCIe企业固态加速卡一样。这些高速PCIe SSA配备了一款专利保护的控制器，可以极大地提升处理大数据请求的能力、缓解I/O瓶颈问题和增加带宽。

读数据增强型产品使用的是多级单元闪存。Diablo希望，PCIe闪存卡开支转向MCS闪存将增加公司的收入。