三星、东芝和美光最近都公开了各自在3D NAND闪存领域的发展情况。DigiTimes引述市场人士的分析指出：在2014年至2015年厂商将进入3D NAND闪存芯片的早期生产阶段，往后的数年会进入工业性生产阶段。

　　这种新技术什么时候才准备好商业规模生产，三星的3D NAND闪存战略和它的市场接纳程度将会是重要的决定因素。

　　在这种新技术上现时三星走在东芝和美光的前头，三星表示他们已经开始量产面向消费电子和企业应用的3D NAND闪存，例如嵌入式NAND和SSD。

　　三星在西安的12英寸晶圆厂将达到3D NAND闪存的生产要求，他们计划在2014年再有新的NAND闪存晶圆厂投入运作。

　　不久前东芝在日本的四日市新晶圆厂破土动工，将在2014年夏季投入使用，生产3D NAND闪存和具有更多高级节点技术的芯片。预计东芝会在2015年开始量产3D NAND芯片，而据称现在已经有样品提供。

　　美光CEO Mark Durcan早前也表示他们会在2014年第一季度开始提供3D NAND闪存的样品。